Продукція > NEXPERIA > PBSS5240T-QR

PBSS5240T-QR Nexperia


PBSS5240T-Q.pdf
Виробник: Nexperia
Bipolar Transistors - BJT The factory is currently not accepting orders for this product.
на замовлення 1523 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
КількістьЦіна
7+53.28 грн
10+35.98 грн
100+19.83 грн
500+12.22 грн
1000+9.08 грн
3000+8.03 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис PBSS5240T-QR Nexperia

Description: TRANS PNP 40V 2A TO-236AB, Qualification: AEC-Q101, Grade: Automotive, Power - Max: 300 mW, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V, Current - Collector (Ic) (Max): 2 A, Supplier Device Package: TO-236AB, Frequency - Transition: 200MHz, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 300 @ 100mA, 2V, Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO), Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 350mV @ 200mA, 2A, Operating Temperature: 150°C (TJ), Transistor Type: PNP, Mounting Type: Surface Mount, Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3, Packaging: Tape & Reel (TR).

Інші пропозиції PBSS5240T-QR

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна
PBSS5240T-QR PBSS5240T-QR Nexperia USA Inc. PBSS5240T-Q.pdf Description: TRANS PNP 40V 2A TO-236AB
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Power - Max: 300 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Supplier Device Package: TO-236AB
Frequency - Transition: 200MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 300 @ 100mA, 2V
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 350mV @ 200mA, 2A
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Transistor Type: PNP
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PBSS5240T-QR PBSS5240T-Q.pdf
Виробник: Nexperia USA Inc.
Description: TRANS PNP 40V 2A TO-236AB
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Power - Max: 300 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Supplier Device Package: TO-236AB
Frequency - Transition: 200MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 300 @ 100mA, 2V
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 350mV @ 200mA, 2A
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Transistor Type: PNP
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.