PBSS5250T,215 Nexperia
на замовлення 18000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3375+ | 9.19 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис PBSS5250T,215 Nexperia
Description: NEXPERIA - PBSS5250T,215 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 50 V, 2 A, 300 mW, TO-236AB, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 130hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 300mW, Bauform - Transistor: TO-236AB, Dauerkollektorstrom: 2A, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 50V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: PNP, Übergangsfrequenz: 100MHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).
Інші пропозиції PBSS5250T,215 за ціною від 6.74 грн до 69.25 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
PBSS5250T,215 | Виробник : NEXPERIA |
 Description: NEXPERIA - PBSS5250T,215 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 50 V, 2 A, 300 mW, TO-236AB, OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 130hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 300mW Bauform - Transistor: TO-236AB Dauerkollektorstrom: 2A Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 50V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: PNP Übergangsfrequenz: 100MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
на замовлення 3085 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
PBSS5250T,215 | Виробник : NEXPERIA |
Category: PNP SMD transistors Description: Transistor: PNP; bipolar; 50V; 2A; SOT23,TO236AB Mounting: SMD Collector current: 2A Collector-emitter voltage: 50V Current gain: 130...200 Frequency: 100MHz Kind of package: 7 inch reel; tape Polarisation: bipolar Type of transistor: PNP Case: SOT23; TO236AB |
на замовлення 2925 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
PBSS5250T,215 | Виробник : NEXPERIA |
Category: PNP SMD transistors Description: Transistor: PNP; bipolar; 50V; 2A; SOT23,TO236AB Mounting: SMD Collector current: 2A Collector-emitter voltage: 50V Current gain: 130...200 Frequency: 100MHz Kind of package: 7 inch reel; tape Polarisation: bipolar Type of transistor: PNP Case: SOT23; TO236AB кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 2925 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
PBSS5250T,215 | Виробник : Nexperia |
Bipolar Transistors - BJT TRANS-SS PNP SOT23 50V |
на замовлення 7283 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
PBSS5250T,215 | Виробник : Nexperia USA Inc. |
Description: TRANS PNP 50V 2A TO-236AB Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 100mA, 2A Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 1A, 2V Frequency - Transition: 100MHz Supplier Device Package: TO-236AB Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 2 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 480 mW Grade: Automotive Qualification: AEC-Q100 |
на замовлення 1327 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
PBSS5250T,215 | Виробник : NEXPERIA |
Description: NEXPERIA - PBSS5250T,215 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 50 V, 2 A, 300 mW, TO-236AB, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 130hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 300mW Bauform - Transistor: TO-236AB Dauerkollektorstrom: 2A Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 50V productTraceability: No Wandlerpolarität: PNP Übergangsfrequenz: 100MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
на замовлення 2915 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
PBSS5250T,215 | Виробник : NEXPERIA |
Trans GP BJT PNP 50V 2A 480mW Automotive 3-Pin SOT-23 T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
|
|
PBSS5250T,215 | Виробник : Nexperia |
Trans GP BJT PNP 50V 2A 480mW 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101 |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
|
|
PBSS5250T,215 | Виробник : Nexperia USA Inc. |
Description: TRANS PNP 50V 2A TO-236AB Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 100mA, 2A Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 1A, 2V Frequency - Transition: 100MHz Supplier Device Package: TO-236AB Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 2 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 480 mW Grade: Automotive Qualification: AEC-Q100 |
товару немає в наявності |