PBSS5250TH-QR Nexperia USA Inc.
Виробник: Nexperia USA Inc.
Description: TRANS PNP 50V 2A TO-236AB
Qualification: AEC-Q101
Power - Max: 360 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Grade: Automotive
Supplier Device Package: TO-236AB
Frequency - Transition: 100MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 1A, 2V
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 200mA, 2A
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Transistor Type: PNP
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис PBSS5250TH-QR Nexperia USA Inc.
Description: TRANS PNP 50V 2A TO-236AB, Qualification: AEC-Q101, Power - Max: 360 mW, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V, Current - Collector (Ic) (Max): 2 A, Grade: Automotive, Supplier Device Package: TO-236AB, Frequency - Transition: 100MHz, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 1A, 2V, Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO), Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 200mA, 2A, Operating Temperature: 175°C (TJ), Transistor Type: PNP, Mounting Type: Surface Mount, Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3, Packaging: Tape & Reel (TR).
Інші пропозиції PBSS5250TH-QR
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
 |
PBSS5250TH-QR | Nexperia |
Bipolar Transistors - BJT PBSS5250TH-Q/SOT23/TO-236AB |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. |
| PBSS5250TH-QR |
|
Виробник: Nexperia
Bipolar Transistors - BJT PBSS5250TH-Q/SOT23/TO-236AB
Bipolar Transistors - BJT PBSS5250TH-Q/SOT23/TO-236AB
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.