PBSS5260QAZ

PBSS5260QAZ Nexperia


806152539805089pbss5260qa.pdf Виробник: Nexperia
Trans GP BJT PNP 60V 1.7A 1000mW Automotive AEC-Q101 3-Pin DFN-D EP T/R
на замовлення 20000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4778+6.37 грн
Мінімальне замовлення: 4778
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис PBSS5260QAZ Nexperia

Description: TRANS PNP 60V 1.7A DFN1010D-3, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 3-XDFN Exposed Pad, Mounting Type: Surface Mount, Transistor Type: PNP, Operating Temperature: 150°C (TJ), Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 50mA, 1A, Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO), DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 1.7A, 2V, Frequency - Transition: 150MHz, Supplier Device Package: DFN1010D-3, Part Status: Active, Current - Collector (Ic) (Max): 1.7 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V, Power - Max: 325 mW, Grade: Automotive, Qualification: AEC-Q100.

Інші пропозиції PBSS5260QAZ за ціною від 5.65 грн до 37.31 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
PBSS5260QAZ PBSS5260QAZ Виробник : Nexperia 806152539805089pbss5260qa.pdf Trans GP BJT PNP 60V 1.7A 1000mW Automotive AEC-Q101 3-Pin DFN-D EP T/R
на замовлення 40000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4778+6.37 грн
Мінімальне замовлення: 4778
В кошику  од. на суму  грн.
PBSS5260QAZ PBSS5260QAZ Виробник : Nexperia PBSS5260QA.pdf Bipolar Transistors - BJT PBSS5260QA/SOT1215/DFN1010D-3
на замовлення 3822 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
12+29.28 грн
18+19.24 грн
100+8.81 грн
1000+7.19 грн
5000+5.65 грн
Мінімальне замовлення: 12
В кошику  од. на суму  грн.
PBSS5260QAZ PBSS5260QAZ Виробник : Nexperia USA Inc. PBSS5260QA.pdf Description: TRANS PNP 60V 1.7A DFN1010D-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 3-XDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 50mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 1.7A, 2V
Frequency - Transition: 150MHz
Supplier Device Package: DFN1010D-3
Grade: Automotive
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 1.7 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 325 mW
Qualification: AEC-Q100
на замовлення 2697 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
9+37.31 грн
14+22.02 грн
100+13.94 грн
500+9.80 грн
1000+8.75 грн
2000+7.86 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
PBSS5260QAZ Виробник : NXP Semiconductors PBSS5260QA.pdf Trans GP BJT PNP 60V 1.7A 1000mW Automotive 3-Pin DFN-D EP T/R
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4778+6.37 грн
Мінімальне замовлення: 4778
В кошику  од. на суму  грн.
PBSS5260QAZ Виробник : NXP Semiconductors PBSS5260QA.pdf Trans GP BJT PNP 60V 1.7A 1000mW Automotive 3-Pin DFN-D EP T/R
на замовлення 205000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4778+6.37 грн
Мінімальне замовлення: 4778
В кошику  од. на суму  грн.
PBSS5260QAZ Виробник : NXP Semiconductors PBSS5260QA.pdf Trans GP BJT PNP 60V 1.7A 1000mW Automotive 3-Pin DFN-D EP T/R
на замовлення 55000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4778+6.37 грн
Мінімальне замовлення: 4778
В кошику  од. на суму  грн.
PBSS5260QAZ Виробник : NEXPERIA PBSS5260QA.pdf Description: NEXPERIA - PBSS5260QAZ - SCHOTTKY RECTIFIER DIODES
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 110000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5000+6.73 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
PBSS5260QAZ PBSS5260QAZ Виробник : Nexperia 806152539805089pbss5260qa.pdf Trans GP BJT PNP 60V 1.7A 1000mW Automotive AEC-Q101 3-Pin DFN-D EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PBSS5260QAZ PBSS5260QAZ Виробник : Nexperia USA Inc. PBSS5260QA.pdf Description: TRANS PNP 60V 1.7A DFN1010D-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 3-XDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 50mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 1.7A, 2V
Frequency - Transition: 150MHz
Supplier Device Package: DFN1010D-3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 1.7 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 325 mW
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q100
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.