
PBSS5260QAZ Nexperia
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна |
---|---|
4778+ | 6.37 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис PBSS5260QAZ Nexperia
Description: TRANS PNP 60V 1.7A DFN1010D-3, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 3-XDFN Exposed Pad, Mounting Type: Surface Mount, Transistor Type: PNP, Operating Temperature: 150°C (TJ), Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 50mA, 1A, Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO), DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 1.7A, 2V, Frequency - Transition: 150MHz, Supplier Device Package: DFN1010D-3, Part Status: Active, Current - Collector (Ic) (Max): 1.7 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V, Power - Max: 325 mW, Grade: Automotive, Qualification: AEC-Q100.
Інші пропозиції PBSS5260QAZ за ціною від 5.65 грн до 37.31 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
PBSS5260QAZ | Виробник : Nexperia |
![]() |
на замовлення 40000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
PBSS5260QAZ | Виробник : Nexperia |
![]() |
на замовлення 3822 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
PBSS5260QAZ | Виробник : Nexperia USA Inc. |
![]() Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 3-XDFN Exposed Pad Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 50mA, 1A Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 1.7A, 2V Frequency - Transition: 150MHz Supplier Device Package: DFN1010D-3 Grade: Automotive Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 1.7 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V Power - Max: 325 mW Qualification: AEC-Q100 |
на замовлення 2697 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
PBSS5260QAZ | Виробник : NXP Semiconductors |
![]() |
на замовлення 20000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
PBSS5260QAZ | Виробник : NXP Semiconductors |
![]() |
на замовлення 205000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
PBSS5260QAZ | Виробник : NXP Semiconductors |
![]() |
на замовлення 55000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
PBSS5260QAZ | Виробник : NEXPERIA |
![]() tariffCode: 85412900 productTraceability: No rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
на замовлення 110000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
![]() |
PBSS5260QAZ | Виробник : Nexperia |
![]() |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||
![]() |
PBSS5260QAZ | Виробник : Nexperia USA Inc. |
![]() Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 3-XDFN Exposed Pad Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 50mA, 1A Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 1.7A, 2V Frequency - Transition: 150MHz Supplier Device Package: DFN1010D-3 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 1.7 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V Power - Max: 325 mW Grade: Automotive Qualification: AEC-Q100 |
товару немає в наявності |