на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 9000+ | 5.64 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис PBSS5350D,115 Nexperia
Description: NEXPERIA - PBSS5350D,115 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 50 V, 3 A, 600 mW, TSOP, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, Dauer-Kollektorstrom: 3A, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 600mW, Bauform - Transistor: TSOP, Anzahl der Pins: 6Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 50V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: PNP, Übergangsfrequenz: 100MHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).
Інші пропозиції PBSS5350D,115 за ціною від 6.13 грн до 37.42 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
PBSS5350D,115 | Виробник : Nexperia |
 Trans GP BJT PNP 50V 3A 1200mW 6-Pin TSOP T/R |
на замовлення 9000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
PBSS5350D,115 | Виробник : Nexperia |
Trans GP BJT PNP 50V 3A 1200mW 6-Pin TSOP T/R |
на замовлення 9000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
PBSS5350D,115 | Виробник : NEXPERIA |
Description: NEXPERIA - PBSS5350D,115 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 50 V, 3 A, 600 mW, TSOP, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 Dauer-Kollektorstrom: 3A MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 600mW Bauform - Transistor: TSOP Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 50V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: PNP Übergangsfrequenz: 100MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
на замовлення 1864 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
PBSS5350D,115 | Виробник : Nexperia USA Inc. |
Description: TRANS PNP 50V 3A 6-TSOP Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SC-74, SOT-457 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 200mA, 2A Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 2A, 2V Frequency - Transition: 100MHz Supplier Device Package: 6-TSOP Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 3 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 750 mW |
на замовлення 2800 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
PBSS5350D,115 | Виробник : NEXPERIA |
Description: NEXPERIA - PBSS5350D,115 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 50 V, 3 A, 600 mW, TSOP, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 Dauer-Kollektorstrom: 3A MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 600mW Bauform - Transistor: TSOP Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 50V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: PNP Übergangsfrequenz: 100MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
на замовлення 1864 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
PBSS5350D,115 | Виробник : Nexperia |
Bipolar Transistors - BJT 50 V, 3 A PNP low VCEsat transistor |
на замовлення 8630 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
PBSS5350D,115 | Виробник : NEXPERIA |
Trans GP BJT PNP 50V 3A 750mW Automotive 6-Pin TSOP T/R |
на замовлення 9000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|||||||||||||||||
| PBSS5350D,115 | Виробник : NEXPERIA |
Category: PNP SMD transistors Description: Transistor: PNP Type of transistor: PNP |
на замовлення 9000 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
|
|
PBSS5350D,115 | Виробник : Nexperia |
Trans GP BJT PNP 50V 3A 1200mW 6-Pin TSOP T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
|
|
PBSS5350D,115 | Виробник : Nexperia |
Trans GP BJT PNP 50V 3A 1200mW 6-Pin TSOP T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
|
|
PBSS5350D,115 | Виробник : Nexperia USA Inc. |
Description: TRANS PNP 50V 3A 6-TSOP Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SC-74, SOT-457 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 200mA, 2A Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 2A, 2V Frequency - Transition: 100MHz Supplier Device Package: 6-TSOP Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 3 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 750 mW |
товару немає в наявності |