Продукція > NEXPERIA > PBSS5350D,115
PBSS5350D,115

PBSS5350D,115 Nexperia


pbss5350d.pdf Виробник: Nexperia
Trans GP BJT PNP 50V 3A 1200mW 6-Pin TSOP T/R
на замовлення 9000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
9000+4.68 грн
Мінімальне замовлення: 9000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис PBSS5350D,115 Nexperia

Description: NEXPERIA - PBSS5350D,115 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 50 V, 3 A, 600 mW, TSOP, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 600mW, Bauform - Transistor: TSOP, Dauerkollektorstrom: 3A, Anzahl der Pins: 6Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 50V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: PNP, Übergangsfrequenz: 100MHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).

Інші пропозиції PBSS5350D,115 за ціною від 4.98 грн до 37.16 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
PBSS5350D,115 PBSS5350D,115 Виробник : Nexperia pbss5350d.pdf Trans GP BJT PNP 50V 3A 1200mW 6-Pin TSOP T/R
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
9000+4.98 грн
Мінімальне замовлення: 9000
В кошику  од. на суму  грн.
PBSS5350D,115 PBSS5350D,115 Виробник : Nexperia pbss5350d.pdf Trans GP BJT PNP 50V 3A 1200mW 6-Pin TSOP T/R
на замовлення 11830 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4280+7.13 грн
10000+6.35 грн
Мінімальне замовлення: 4280
В кошику  од. на суму  грн.
PBSS5350D,115 PBSS5350D,115 Виробник : NEXPERIA PHGLS23028-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: NEXPERIA - PBSS5350D,115 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 50 V, 3 A, 600 mW, TSOP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 600mW
Bauform - Transistor: TSOP
Dauerkollektorstrom: 3A
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 50V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 100MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 1714 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+14.78 грн
500+10.27 грн
1000+8.32 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
PBSS5350D,115 PBSS5350D,115 Виробник : Nexperia USA Inc. PBSS5350D.pdf Description: TRANS PNP 50V 3A 6-TSOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-74, SOT-457
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 200mA, 2A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 2A, 2V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: 6-TSOP
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 750 mW
на замовлення 2800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
10+33.39 грн
16+19.84 грн
100+12.56 грн
500+8.82 грн
1000+7.87 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
PBSS5350D,115 PBSS5350D,115 Виробник : Nexperia PBSS5350D.pdf Bipolar Transistors - BJT 50 V, 3 A PNP low VCEsat transistor
на замовлення 8620 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
10+36.36 грн
16+22.42 грн
100+12.42 грн
500+9.26 грн
1000+8.13 грн
3000+7.15 грн
6000+6.55 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
PBSS5350D,115 PBSS5350D,115 Виробник : NEXPERIA PHGLS23028-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: NEXPERIA - PBSS5350D,115 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 50 V, 3 A, 600 mW, TSOP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 600mW
Bauform - Transistor: TSOP
Dauerkollektorstrom: 3A
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 50V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 100MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 1714 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
23+37.16 грн
37+23.31 грн
100+14.78 грн
500+10.27 грн
1000+8.32 грн
Мінімальне замовлення: 23
В кошику  од. на суму  грн.
PBSS5350D,115 PBSS5350D,115 Виробник : NEXPERIA pbss5350d.pdf Trans GP BJT PNP 50V 3A 750mW Automotive 6-Pin TSOP T/R
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
PBSS5350D,115 PBSS5350D,115 Виробник : Nexperia pbss5350d.pdf Trans GP BJT PNP 50V 3A 1200mW 6-Pin TSOP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PBSS5350D,115 PBSS5350D,115 Виробник : Nexperia pbss5350d.pdf Trans GP BJT PNP 50V 3A 1200mW 6-Pin TSOP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PBSS5350D,115 PBSS5350D,115 Виробник : Nexperia USA Inc. PBSS5350D.pdf Description: TRANS PNP 50V 3A 6-TSOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-74, SOT-457
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 200mA, 2A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 2A, 2V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: 6-TSOP
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 750 mW
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.