PBSS5350SS,115 Nexperia
на замовлення 17000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 970+ | 31.93 грн |
| 1052+ | 29.44 грн |
| 10000+ | 26.25 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис PBSS5350SS,115 Nexperia
Description: TRANS 2PNP DUAL 50V 2.7A 8-SO, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width), Mounting Type: Surface Mount, Transistor Type: 2 PNP (Dual), Operating Temperature: 150°C (TJ), Power - Max: 750mW, Current - Collector (Ic) (Max): 2.7A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V, Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 370mV @ 270mA, 2.7A, Current - Collector Cutoff (Max): 100nA, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 180 @ 1A, 2V, Supplier Device Package: 8-SO.
Інші пропозиції PBSS5350SS,115 за ціною від 31.93 грн до 31.93 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| PBSS5350SS,115 | Виробник : NXP Semiconductors |
 Trans GP BJT NPN/PNP 50V 2.7A Automotive 8-Pin SO T/R |
на замовлення 1000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||
 |
PBSS5350SS,115 | Виробник : NEXPERIA |
Trans GP BJT NPN/PNP 50V 2.7A Automotive 8-Pin SO T/R |
товару немає в наявності |
|||||
 |
PBSS5350SS,115 | Виробник : Nexperia USA Inc. |
Description: TRANS 2PNP DUAL 50V 2.7A 8-SO Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: 2 PNP (Dual) Operating Temperature: 150°C (TJ) Power - Max: 750mW Current - Collector (Ic) (Max): 2.7A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 370mV @ 270mA, 2.7A Current - Collector Cutoff (Max): 100nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 180 @ 1A, 2V Supplier Device Package: 8-SO |
товару немає в наявності |
|||||
|
|
PBSS5350SS,115 | Виробник : Nexperia USA Inc. |
Description: TRANS 2PNP DUAL 50V 2.7A 8-SO Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: 2 PNP (Dual) Operating Temperature: 150°C (TJ) Power - Max: 750mW Current - Collector (Ic) (Max): 2.7A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 370mV @ 270mA, 2.7A Current - Collector Cutoff (Max): 100nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 180 @ 1A, 2V Supplier Device Package: 8-SO |
товару немає в наявності |
|||||
 |
PBSS5350SS,115 | Виробник : Nexperia |
Bipolar Transistors - BJT TRANS BISS TAPE-7 |
товару немає в наявності |