Продукція > NEXPERIA USA INC. > PBSS5350T-QR
PBSS5350T-QR

PBSS5350T-QR Nexperia USA Inc.

PBSS5350T-Q.pdf Виробник: Nexperia USA Inc.
Description: TRANS PNP 50V 2A TO-236AB
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 390mV @ 300mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 1A, 2V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: TO-236AB
Grade: Automotive
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 1.2 W
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 1588 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
8+41.40 грн
14+24.48 грн
50+17.73 грн
100+14.58 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис PBSS5350T-QR Nexperia USA Inc.

Description: TRANS PNP 50V 2A TO-236AB, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3, Mounting Type: Surface Mount, Transistor Type: PNP, Operating Temperature: 150°C (TJ), Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 390mV @ 300mA, 3A, Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO), DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 1A, 2V, Frequency - Transition: 100MHz, Supplier Device Package: TO-236AB, Part Status: Active, Current - Collector (Ic) (Max): 2 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V, Power - Max: 1.2 W, Grade: Automotive, Qualification: AEC-Q101.

Інші пропозиції PBSS5350T-QR

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
PBSS5350T-QR Виробник : NEXPERIA pbss5350t.pdf Trans GP BJT PNP 50V 2A 1200mW Automotive 3-Pin SOT-23
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PBSS5350T-QR PBSS5350T-QR Виробник : Nexperia USA Inc. PBSS5350T-Q.pdf Description: TRANS PNP 50V 2A TO-236AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 390mV @ 300mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 1A, 2V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: TO-236AB
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 1.2 W
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PBSS5350T-QR PBSS5350T-QR Виробник : Nexperia PBSS5350T-Q.pdf Bipolar Transistors - BJT SOT23 50V 3A PNP BJT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.