Продукція > Транзистори > Біполярні PNP > PBSS5350X,115

PBSS5350X,115

PBSS5350X.pdf
Код товару: 172478
Додати до обраних Обраний товар

Виробник:
Транзистори > Біполярні PNP

товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Інші пропозиції PBSS5350X,115 за ціною від 16.27 грн до 18.25 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
PBSS5350X,115 PBSS5350X,115 Nexperia pbss5350x.pdf Trans GP BJT PNP 50V 3A 1600mW 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 79000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1938+18.25 грн
10000+16.27 грн
Мінімальне замовлення: 1938 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PBSS5350X,115 PBSS5350X,115 Nexperia pbss5350x.pdf Trans GP BJT PNP 50V 3A 1600mW 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 8 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PBSS5350X,115 PBSS5350X,115 NEXPERIA PIRSS13164-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: NEXPERIA - PBSS5350X,115 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 50 V, 3 A, 550 mW, TO-243, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
DC-Stromverstärkung hFE: 200hFE
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 550mW
euEccn: NLR
Verlustleistung: 550mW
Bauform - Transistor: TO-243
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 50V
Dauerkollektorstrom: 3A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 50V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: PNP
DC-Kollektorstrom: 3A
Übergangsfrequenz: 100MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 12 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 12 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PBSS5350X,115 PBSS5350X,115 NEXPERIA PIRSS13164-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: NEXPERIA - PBSS5350X,115 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 50 V, 3 A, 550 mW, TO-243, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 550mW
Bauform - Transistor: TO-243
Dauerkollektorstrom: 3A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 50V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 100MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 12 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
PBSS5350X,115 pbss5350x.pdf
PBSS5350X,115
Виробник: Nexperia
Trans GP BJT PNP 50V 3A 1600mW 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 79000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1938+18.25 грн
10000+16.27 грн
Мінімальне замовлення: 1938 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PBSS5350X,115 pbss5350x.pdf
PBSS5350X,115
Виробник: Nexperia
Trans GP BJT PNP 50V 3A 1600mW 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 8 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PBSS5350X,115 PIRSS13164-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
PBSS5350X,115
Виробник: NEXPERIA
Description: NEXPERIA - PBSS5350X,115 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 50 V, 3 A, 550 mW, TO-243, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
DC-Stromverstärkung hFE: 200hFE
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 550mW
euEccn: NLR
Verlustleistung: 550mW
Bauform - Transistor: TO-243
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 50V
Dauerkollektorstrom: 3A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 50V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: PNP
DC-Kollektorstrom: 3A
Übergangsfrequenz: 100MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 12 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 12 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PBSS5350X,115 PIRSS13164-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
PBSS5350X,115
Виробник: NEXPERIA
Description: NEXPERIA - PBSS5350X,115 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 50 V, 3 A, 550 mW, TO-243, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 550mW
Bauform - Transistor: TO-243
Dauerkollektorstrom: 3A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 50V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 100MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 12 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.