Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис PBSS5560PA,115 Nexperia
Description: NEXPERIA - PBSS5560PA,115 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 60 V, 5 A, 2.1 W, SOT-1061, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 265hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 2.1W, Bauform - Transistor: SOT-1061, Dauerkollektorstrom: 5A, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: PNP, Übergangsfrequenz: 90MHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025).
Інші пропозиції PBSS5560PA,115 за ціною від 11.64 грн до 49.70 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
PBSS5560PA,115 | Nexperia USA Inc. |
 Description: TRANS PNP 60V 5A 3HUSONPackaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 3-PowerUDFN Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 450mV @ 250mA, 5A Current - Collector Cutoff (Max): 100nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 150 @ 2A, 2V Frequency - Transition: 90MHz Supplier Device Package: 3-HUSON (2x2) Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 5 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V Power - Max: 2.1 W |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
|
|
PBSS5560PA,115 | Nexperia |
Trans GP BJT PNP 60V 5A 2100mW 3-Pin HUSON T/R |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
|
|
PBSS5560PA,115 | Nexperia |
Trans GP BJT PNP 60V 5A 2100mW 3-Pin HUSON T/R |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
|
|
PBSS5560PA,115 | Nexperia |
Trans GP BJT PNP 60V 5A 2100mW 3-Pin HUSON T/R |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
|
|
PBSS5560PA,115 | Nexperia |
Trans GP BJT PNP 60V 5A 2100mW 3-Pin HUSON T/R |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
|
|
PBSS5560PA,115 | Nexperia USA Inc. |
Description: TRANS PNP 60V 5A 3HUSON Power - Max: 2.1 W Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V Current - Collector (Ic) (Max): 5 A Part Status: Active Supplier Device Package: 3-HUSON (2x2) Frequency - Transition: 90MHz DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 150 @ 2A, 2V Current - Collector Cutoff (Max): 100nA Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 450mV @ 250mA, 5A Operating Temperature: 150°C (TJ) Transistor Type: PNP Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 3-PowerUDFN Packaging: Cut Tape (CT) |
на замовлення 4291 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
 |
PBSS5560PA,115 | Nexperia |
Bipolar Transistors - BJT PBSS5560PA/SOT1061/HUSON3 |
на замовлення 65 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
|
|
PBSS5560PA,115 | Nexperia |
Trans GP BJT PNP 60V 5A 2100mW 3-Pin HUSON T/R |
на замовлення 5 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
 |
PBSS5560PA,115 | NEXPERIA |
Description: NEXPERIA - PBSS5560PA,115 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 60 V, 5 A, 2.1 W, SOT-1061, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 265hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 2.1W Bauform - Transistor: SOT-1061 Dauerkollektorstrom: 5A Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: PNP Übergangsfrequenz: 90MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
на замовлення 2930 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 5 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
|
|
PBSS5560PA,115 | Nexperia |
Trans GP BJT PNP 60V 5A 2100mW 3-Pin HUSON T/R |
на замовлення 80 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 43 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
|
|
PBSS5560PA,115 | NEXPERIA |
Description: NEXPERIA - PBSS5560PA,115 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 60 V, 5 A, 2.1 W, SOT-1061, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 265hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 2.1W Bauform - Transistor: SOT-1061 Dauerkollektorstrom: 5A Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: PNP Übergangsfrequenz: 90MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
на замовлення 2930 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. |
| PBSS5560PA,115 |
|
Виробник: Nexperia USA Inc.
Description: TRANS PNP 60V 5A 3HUSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 3-PowerUDFN
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 450mV @ 250mA, 5A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 150 @ 2A, 2V
Frequency - Transition: 90MHz
Supplier Device Package: 3-HUSON (2x2)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 5 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 2.1 W
Description: TRANS PNP 60V 5A 3HUSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 3-PowerUDFN
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 450mV @ 250mA, 5A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 150 @ 2A, 2V
Frequency - Transition: 90MHz
Supplier Device Package: 3-HUSON (2x2)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 5 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 2.1 W
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3000+ | 11.64 грн |
| PBSS5560PA,115 |
|
Виробник: Nexperia
Trans GP BJT PNP 60V 5A 2100mW 3-Pin HUSON T/R
Trans GP BJT PNP 60V 5A 2100mW 3-Pin HUSON T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3000+ | 13.02 грн |
| PBSS5560PA,115 |
|
Виробник: Nexperia
Trans GP BJT PNP 60V 5A 2100mW 3-Pin HUSON T/R
Trans GP BJT PNP 60V 5A 2100mW 3-Pin HUSON T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3000+ | 13.89 грн |
| PBSS5560PA,115 |
|
Виробник: Nexperia
Trans GP BJT PNP 60V 5A 2100mW 3-Pin HUSON T/R
Trans GP BJT PNP 60V 5A 2100mW 3-Pin HUSON T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3000+ | 14.06 грн |
| PBSS5560PA,115 |
|
Виробник: Nexperia
Trans GP BJT PNP 60V 5A 2100mW 3-Pin HUSON T/R
Trans GP BJT PNP 60V 5A 2100mW 3-Pin HUSON T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3000+ | 24.31 грн |
| PBSS5560PA,115 |
|
Виробник: Nexperia USA Inc.
Description: TRANS PNP 60V 5A 3HUSON
Power - Max: 2.1 W
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Current - Collector (Ic) (Max): 5 A
Part Status: Active
Supplier Device Package: 3-HUSON (2x2)
Frequency - Transition: 90MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 150 @ 2A, 2V
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 450mV @ 250mA, 5A
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Transistor Type: PNP
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 3-PowerUDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Description: TRANS PNP 60V 5A 3HUSON
Power - Max: 2.1 W
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Current - Collector (Ic) (Max): 5 A
Part Status: Active
Supplier Device Package: 3-HUSON (2x2)
Frequency - Transition: 90MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 150 @ 2A, 2V
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 450mV @ 250mA, 5A
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Transistor Type: PNP
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 3-PowerUDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 4291 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 7+ | 49.70 грн |
| 11+ | 29.62 грн |
| 100+ | 19.09 грн |
| 500+ | 13.65 грн |
| 1000+ | 12.27 грн |
| PBSS5560PA,115 |
|
Виробник: Nexperia
Bipolar Transistors - BJT PBSS5560PA/SOT1061/HUSON3
Bipolar Transistors - BJT PBSS5560PA/SOT1061/HUSON3
на замовлення 65 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| PBSS5560PA,115 |
|
Виробник: Nexperia
Trans GP BJT PNP 60V 5A 2100mW 3-Pin HUSON T/R
Trans GP BJT PNP 60V 5A 2100mW 3-Pin HUSON T/R
на замовлення 5 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| PBSS5560PA,115 |
|
Виробник: NEXPERIA
Description: NEXPERIA - PBSS5560PA,115 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 60 V, 5 A, 2.1 W, SOT-1061, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 265hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.1W
Bauform - Transistor: SOT-1061
Dauerkollektorstrom: 5A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 90MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Description: NEXPERIA - PBSS5560PA,115 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 60 V, 5 A, 2.1 W, SOT-1061, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 265hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.1W
Bauform - Transistor: SOT-1061
Dauerkollektorstrom: 5A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 90MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 2930 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| PBSS5560PA,115 |
|
Виробник: Nexperia
Trans GP BJT PNP 60V 5A 2100mW 3-Pin HUSON T/R
Trans GP BJT PNP 60V 5A 2100mW 3-Pin HUSON T/R
на замовлення 80 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| PBSS5560PA,115 |
|
Виробник: NEXPERIA
Description: NEXPERIA - PBSS5560PA,115 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 60 V, 5 A, 2.1 W, SOT-1061, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 265hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.1W
Bauform - Transistor: SOT-1061
Dauerkollektorstrom: 5A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 90MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Description: NEXPERIA - PBSS5560PA,115 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 60 V, 5 A, 2.1 W, SOT-1061, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 265hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.1W
Bauform - Transistor: SOT-1061
Dauerkollektorstrom: 5A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 90MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 2930 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)