на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3000+ | 9.97 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис PBSS5560PA,115 Nexperia
Description: NEXPERIA - PBSS5560PA,115 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 60 V, 5 A, 2.1 W, SOT-1061, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 265hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 2.1W, Bauform - Transistor: SOT-1061, Dauerkollektorstrom: 5A, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: PNP, Übergangsfrequenz: 90MHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025).
Інші пропозиції PBSS5560PA,115 за ціною від 11.42 грн до 86.96 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
PBSS5560PA,115 | Виробник : Nexperia |
 Trans GP BJT PNP 60V 5A 2100mW 3-Pin HUSON T/R |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
PBSS5560PA,115 | Виробник : Nexperia |
Trans GP BJT PNP 60V 5A 2100mW 3-Pin HUSON T/R |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
PBSS5560PA,115 | Виробник : Nexperia USA Inc. |
Description: TRANS PNP 60V 5A 3HUSON Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 3-PowerUDFN Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 450mV @ 250mA, 5A Current - Collector Cutoff (Max): 100nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 150 @ 2A, 2V Frequency - Transition: 90MHz Supplier Device Package: 3-HUSON (2x2) Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 5 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V Power - Max: 2.1 W |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
PBSS5560PA,115 | Виробник : Nexperia |
Trans GP BJT PNP 60V 5A 2100mW 3-Pin HUSON T/R |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
PBSS5560PA,115 | Виробник : Nexperia |
Trans GP BJT PNP 60V 5A 2100mW 3-Pin HUSON T/R |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
PBSS5560PA,115 | Виробник : NEXPERIA |
Description: NEXPERIA - PBSS5560PA,115 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 60 V, 5 A, 2.1 W, SOT-1061, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 265hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 2.1W Bauform - Transistor: SOT-1061 Dauerkollektorstrom: 5A Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: PNP Übergangsfrequenz: 90MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
на замовлення 2930 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
PBSS5560PA,115 | Виробник : Nexperia USA Inc. |
Description: TRANS PNP 60V 5A 3HUSON Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 3-PowerUDFN Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 450mV @ 250mA, 5A Current - Collector Cutoff (Max): 100nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 150 @ 2A, 2V Frequency - Transition: 90MHz Supplier Device Package: 3-HUSON (2x2) Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 5 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V Power - Max: 2.1 W |
на замовлення 4291 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
PBSS5560PA,115 | Виробник : Nexperia |
Bipolar Transistors - BJT TRANS-SS PNP SOT1061 60V |
на замовлення 6029 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
PBSS5560PA,115 | Виробник : NEXPERIA |
Description: NEXPERIA - PBSS5560PA,115 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 60 V, 5 A, 2.1 W, SOT-1061, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 265hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 2.1W Bauform - Transistor: SOT-1061 Dauerkollektorstrom: 5A Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: PNP Übergangsfrequenz: 90MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
на замовлення 2930 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
PBSS5560PA,115 | Виробник : Nexperia |
Trans GP BJT PNP 60V 5A 2100mW 3-Pin HUSON T/R |
на замовлення 5 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|||||||||||||||||
 |
PBSS5560PA,115 | Виробник : NEXPERIA |
Trans GP BJT PNP 60V 5A 2100mW 3-Pin HUSON T/R |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|||||||||||||||||
|
|
PBSS5560PA,115 | Виробник : Nexperia |
Trans GP BJT PNP 60V 5A 2100mW 3-Pin HUSON T/R |
товару немає в наявності |