Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис PBSS5560PA,115 Nexperia
Description: NEXPERIA - PBSS5560PA,115 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 60 V, 5 A, 2.1 W, SOT-1061, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 265hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 2.1W, Bauform - Transistor: SOT-1061, Dauerkollektorstrom: 5A, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: PNP, Übergangsfrequenz: 90MHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025).
Інші пропозиції PBSS5560PA,115 за ціною від 12.96 грн до 24.20 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||
|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
PBSS5560PA,115 | Nexperia |
 Trans GP BJT PNP 60V 5A 2100mW 3-Pin HUSON T/R |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||
|
|
PBSS5560PA,115 | Nexperia |
Trans GP BJT PNP 60V 5A 2100mW 3-Pin HUSON T/R |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||
|
|
PBSS5560PA,115 | Nexperia |
Trans GP BJT PNP 60V 5A 2100mW 3-Pin HUSON T/R |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||
|
|
PBSS5560PA,115 | Nexperia |
Trans GP BJT PNP 60V 5A 2100mW 3-Pin HUSON T/R |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||
|
|
PBSS5560PA,115 | Nexperia |
Trans GP BJT PNP 60V 5A 2100mW 3-Pin HUSON T/R |
на замовлення 5 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||
 |
PBSS5560PA,115 | Nexperia |
Bipolar Transistors - BJT PBSS5560PA/SOT1061/HUSON3 |
на замовлення 17 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||
 |
PBSS5560PA,115 | NEXPERIA |
Description: NEXPERIA - PBSS5560PA,115 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 60 V, 5 A, 2.1 W, SOT-1061, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 265hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 2.1W Bauform - Transistor: SOT-1061 Dauerkollektorstrom: 5A Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: PNP Übergangsfrequenz: 90MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
на замовлення 2930 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 5 шт В кошику од. на суму грн. | ||
|
|
PBSS5560PA,115 | Nexperia |
Trans GP BJT PNP 60V 5A 2100mW 3-Pin HUSON T/R |
на замовлення 80 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 43 шт В кошику од. на суму грн. | ||
|
|
PBSS5560PA,115 | NEXPERIA |
Description: NEXPERIA - PBSS5560PA,115 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 60 V, 5 A, 2.1 W, SOT-1061, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 265hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 2.1W Bauform - Transistor: SOT-1061 Dauerkollektorstrom: 5A Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: PNP Übergangsfrequenz: 90MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
на замовлення 2930 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. |
| PBSS5560PA,115 |
|
Виробник: Nexperia
Trans GP BJT PNP 60V 5A 2100mW 3-Pin HUSON T/R
Trans GP BJT PNP 60V 5A 2100mW 3-Pin HUSON T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3000+ | 12.96 грн |
| PBSS5560PA,115 |
|
Виробник: Nexperia
Trans GP BJT PNP 60V 5A 2100mW 3-Pin HUSON T/R
Trans GP BJT PNP 60V 5A 2100mW 3-Pin HUSON T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3000+ | 13.83 грн |
| PBSS5560PA,115 |
|
Виробник: Nexperia
Trans GP BJT PNP 60V 5A 2100mW 3-Pin HUSON T/R
Trans GP BJT PNP 60V 5A 2100mW 3-Pin HUSON T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3000+ | 14.00 грн |
| PBSS5560PA,115 |
|
Виробник: Nexperia
Trans GP BJT PNP 60V 5A 2100mW 3-Pin HUSON T/R
Trans GP BJT PNP 60V 5A 2100mW 3-Pin HUSON T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3000+ | 24.20 грн |
| PBSS5560PA,115 |
|
Виробник: Nexperia
Trans GP BJT PNP 60V 5A 2100mW 3-Pin HUSON T/R
Trans GP BJT PNP 60V 5A 2100mW 3-Pin HUSON T/R
на замовлення 5 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| PBSS5560PA,115 |
|
Виробник: Nexperia
Bipolar Transistors - BJT PBSS5560PA/SOT1061/HUSON3
Bipolar Transistors - BJT PBSS5560PA/SOT1061/HUSON3
на замовлення 17 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| PBSS5560PA,115 |
|
Виробник: NEXPERIA
Description: NEXPERIA - PBSS5560PA,115 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 60 V, 5 A, 2.1 W, SOT-1061, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 265hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.1W
Bauform - Transistor: SOT-1061
Dauerkollektorstrom: 5A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 90MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Description: NEXPERIA - PBSS5560PA,115 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 60 V, 5 A, 2.1 W, SOT-1061, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 265hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.1W
Bauform - Transistor: SOT-1061
Dauerkollektorstrom: 5A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 90MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 2930 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| PBSS5560PA,115 |
|
Виробник: Nexperia
Trans GP BJT PNP 60V 5A 2100mW 3-Pin HUSON T/R
Trans GP BJT PNP 60V 5A 2100mW 3-Pin HUSON T/R
на замовлення 80 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| PBSS5560PA,115 |
|
Виробник: NEXPERIA
Description: NEXPERIA - PBSS5560PA,115 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 60 V, 5 A, 2.1 W, SOT-1061, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 265hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.1W
Bauform - Transistor: SOT-1061
Dauerkollektorstrom: 5A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 90MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Description: NEXPERIA - PBSS5560PA,115 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 60 V, 5 A, 2.1 W, SOT-1061, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 265hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.1W
Bauform - Transistor: SOT-1061
Dauerkollektorstrom: 5A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 90MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 2930 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)