Продукція > NEXPERIA > PBSS5580PA,115
PBSS5580PA,115

PBSS5580PA,115 Nexperia

pbss5580pa.pdf
Виробник: Nexperia
Trans GP BJT PNP 80V 4A 2100mW 3-Pin DFN EP T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
1216+29.15 грн
Мінімальне замовлення: 1216 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис PBSS5580PA,115 Nexperia

Description: NEXPERIA - PBSS5580PA,115 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 80 V, 4 A, 500 mW, HUSON, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 70hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, Verlustleistung: 500mW, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: HUSON, Dauerkollektorstrom: 4A, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: PNP, usEccn: EAR99, Übergangsfrequenz: 110MHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C.

Інші пропозиції PBSS5580PA,115 за ціною від 23.60 грн до 69.33 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна
PBSS5580PA,115 PBSS5580PA,115 Nexperia pbss5580pa.pdf Trans GP BJT PNP 80V 4A 2100mW 3-Pin DFN EP T/R
на замовлення 21000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1216+29.15 грн
10000+25.99 грн
Мінімальне замовлення: 1216 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PBSS5580PA,115 PBSS5580PA,115 Nexperia PBSS5580PA.pdf Bipolar Transistors - BJT PBSS5580PA/SOT1061/HUSON3
на замовлення 441 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
5+69.33 грн
10+42.24 грн
100+23.60 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PBSS5580PA,115 PBSS5580PA,115 NEXPERIA NEXP-S-A0002881712-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: NEXPERIA - PBSS5580PA,115 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 80 V, 4 A, 500 mW, HUSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 70hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung: 500mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: HUSON
Dauerkollektorstrom: 4A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 110MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 4 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
PBSS5580PA,115 PBSS5580PA,115 NEXPERIA NEXP-S-A0002881712-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: NEXPERIA - PBSS5580PA,115 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 80 V, 4 A, 500 mW, HUSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 70hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung: 500mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: HUSON
Dauerkollektorstrom: 4A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 110MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 4 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PBSS5580PA,115 pbss5580pa.pdf
PBSS5580PA,115
Виробник: Nexperia
Trans GP BJT PNP 80V 4A 2100mW 3-Pin DFN EP T/R
на замовлення 21000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
1216+29.15 грн
10000+25.99 грн
Мінімальне замовлення: 1216 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PBSS5580PA,115 PBSS5580PA.pdf
PBSS5580PA,115
Виробник: Nexperia
Bipolar Transistors - BJT PBSS5580PA/SOT1061/HUSON3
на замовлення 441 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
КількістьЦіна
5+69.33 грн
10+42.24 грн
100+23.60 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PBSS5580PA,115 NEXP-S-A0002881712-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
PBSS5580PA,115
Виробник: NEXPERIA
Description: NEXPERIA - PBSS5580PA,115 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 80 V, 4 A, 500 mW, HUSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 70hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung: 500mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: HUSON
Dauerkollektorstrom: 4A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 110MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 4 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
PBSS5580PA,115 NEXP-S-A0002881712-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
PBSS5580PA,115
Виробник: NEXPERIA
Description: NEXPERIA - PBSS5580PA,115 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 80 V, 4 A, 500 mW, HUSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 70hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung: 500mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: HUSON
Dauerkollektorstrom: 4A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 110MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 4 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.