Продукція > NEXPERIA > PBSS5580PA,115
PBSS5580PA,115

PBSS5580PA,115 Nexperia

3160pbss5580pa.pdf Виробник: Nexperia
Trans GP BJT PNP 80V 4A 2100mW 3-Pin HUSON T/R
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3145+9.70 грн
Мінімальне замовлення: 3145
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис PBSS5580PA,115 Nexperia

Description: NEXPERIA - PBSS5580PA,115 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 80 V, 4 A, 500 mW, HUSON, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 70hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Dauer-Kollektorstrom: 4A, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 500mW, Bauform - Transistor: HUSON, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: PNP, Übergangsfrequenz: 110MHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).

Інші пропозиції PBSS5580PA,115 за ціною від 8.17 грн до 51.41 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
PBSS5580PA,115 PBSS5580PA,115 Виробник : Nexperia USA Inc. PBSS5580PA.pdf Description: TRANS PNP 80V 4A 3HUSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 3-PowerUDFN
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 420mV @ 200mA, 4A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 140 @ 2A, 2V
Frequency - Transition: 110MHz
Supplier Device Package: 3-HUSON (2x2)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 4 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 2.1 W
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+10.64 грн
6000+9.36 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
PBSS5580PA,115 PBSS5580PA,115 Виробник : NEXPERIA NEXP-S-A0002881712-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: NEXPERIA - PBSS5580PA,115 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 80 V, 4 A, 500 mW, HUSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 70hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 4A
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500mW
Bauform - Transistor: HUSON
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 110MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 464 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+20.63 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
PBSS5580PA,115 PBSS5580PA,115 Виробник : Nexperia USA Inc. PBSS5580PA.pdf Description: TRANS PNP 80V 4A 3HUSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 3-PowerUDFN
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 420mV @ 200mA, 4A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 140 @ 2A, 2V
Frequency - Transition: 110MHz
Supplier Device Package: 3-HUSON (2x2)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 4 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 2.1 W
на замовлення 9352 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
7+46.16 грн
12+27.51 грн
100+17.63 грн
500+12.55 грн
1000+11.25 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
PBSS5580PA,115 PBSS5580PA,115 Виробник : NEXPERIA NEXP-S-A0002881712-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: NEXPERIA - PBSS5580PA,115 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 80 V, 4 A, 500 mW, HUSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 70hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 4A
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500mW
Bauform - Transistor: HUSON
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 110MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 464 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
17+49.60 грн
26+32.10 грн
100+20.63 грн
Мінімальне замовлення: 17
В кошику  од. на суму  грн.
PBSS5580PA,115 PBSS5580PA,115 Виробник : Nexperia PBSS5580PA.pdf Bipolar Transistors - BJT PBSS5580PA/SOT1061/HUSON3
на замовлення 3650 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
7+51.41 грн
11+31.81 грн
100+13.61 грн
1000+12.29 грн
3000+9.49 грн
9000+8.24 грн
24000+8.17 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
PBSS5580PA,115 PBSS5580PA,115 Виробник : NEXPERIA 182644863092272pbss5580pa.pdfcidbrand_nxpdatafeed-web_third_par.pdfcidbrand_nxpd.pdf Trans GP BJT PNP 80V 4A 2100mW 3-Pin HUSON T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PBSS5580PA,115 PBSS5580PA,115 Виробник : Nexperia 3160pbss5580pa.pdf Trans GP BJT PNP 80V 4A 2100mW 3-Pin HUSON T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PBSS5580PA,115 Виробник : NEXPERIA PBSS5580PA.pdf Category: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 80V; 4A; DFN2020-3,SOT1061
Case: DFN2020-3; SOT1061
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 110MHz
Collector-emitter voltage: 80V
Current gain: 70...265
Collector current: 4A
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PBSS5580PA,115 Виробник : NEXPERIA PBSS5580PA.pdf Category: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 80V; 4A; DFN2020-3,SOT1061
Case: DFN2020-3; SOT1061
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 110MHz
Collector-emitter voltage: 80V
Current gain: 70...265
Collector current: 4A
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.