PBSS5630PA,115 NEXPERIA
Виробник: NEXPERIA
Description: NEXPERIA - PBSS5630PA,115 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 30 V, 6 A, 500 mW, HUSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 110hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500mW
Bauform - Transistor: HUSON
Dauerkollektorstrom: 6A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 30V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 80MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис PBSS5630PA,115 NEXPERIA
Description: NEXPERIA - PBSS5630PA,115 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 30 V, 6 A, 500 mW, HUSON, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 110hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: N, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 500mW, Bauform - Transistor: HUSON, Dauerkollektorstrom: 6A, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 30V, productTraceability: No, Wandlerpolarität: PNP, Übergangsfrequenz: 80MHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025).
Інші пропозиції PBSS5630PA,115 за ціною від 24.03 грн до 74.86 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
PBSS5630PA,115 | Nexperia |
Trans GP BJT PNP 30V 6A 2100mW 3-Pin DFN EP T/R |
на замовлення 18000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||
|
PBSS5630PA,115 | Nexperia |
Trans GP BJT PNP 30V 6A 2100mW 3-Pin DFN EP T/R |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||
|
PBSS5630PA,115 | NEXPERIA |
Description: NEXPERIA - PBSS5630PA,115 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 30 V, 6 A, 500 mW, HUSON, OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 110hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 500mW Bauform - Transistor: HUSON Dauerkollektorstrom: 6A Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 30V productTraceability: No Wandlerpolarität: PNP Übergangsfrequenz: 80MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
на замовлення 445 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||
| PBSS5630PA,115 | NXP Semiconductors | Trans GP BJT PNP 30V 6A Automotive 3-Pin HUSON T/R |
на замовлення 3429 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||
| PBSS5630PA,115 | NXP Semiconductors | Trans GP BJT PNP 30V 6A Automotive 3-Pin HUSON T/R |
на замовлення 1575265 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||
| PBSS5630PA,115 | NXP Semiconductors | Trans GP BJT PNP 30V 6A Automotive 3-Pin HUSON T/R |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
| PBSS5630PA,115 |
![]() |
Виробник: Nexperia
Trans GP BJT PNP 30V 6A 2100mW 3-Pin DFN EP T/R
Trans GP BJT PNP 30V 6A 2100mW 3-Pin DFN EP T/R
на замовлення 18000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1100+ | 32.15 грн |
| 10000+ | 28.66 грн |
| PBSS5630PA,115 |
![]() |
Виробник: Nexperia
Trans GP BJT PNP 30V 6A 2100mW 3-Pin DFN EP T/R
Trans GP BJT PNP 30V 6A 2100mW 3-Pin DFN EP T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1100+ | 32.15 грн |
| PBSS5630PA,115 |
![]() |
Виробник: NEXPERIA
Description: NEXPERIA - PBSS5630PA,115 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 30 V, 6 A, 500 mW, HUSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 110hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500mW
Bauform - Transistor: HUSON
Dauerkollektorstrom: 6A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 30V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 80MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Description: NEXPERIA - PBSS5630PA,115 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 30 V, 6 A, 500 mW, HUSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 110hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500mW
Bauform - Transistor: HUSON
Dauerkollektorstrom: 6A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 30V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 80MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 445 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 11+ | 74.86 грн |
| 18+ | 46.33 грн |
| 100+ | 29.83 грн |
| PBSS5630PA,115 |
Виробник: NXP Semiconductors
Trans GP BJT PNP 30V 6A Automotive 3-Pin HUSON T/R
Trans GP BJT PNP 30V 6A Automotive 3-Pin HUSON T/R
на замовлення 3429 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1100+ | 32.15 грн |
| PBSS5630PA,115 |
Виробник: NXP Semiconductors
Trans GP BJT PNP 30V 6A Automotive 3-Pin HUSON T/R
Trans GP BJT PNP 30V 6A Automotive 3-Pin HUSON T/R
на замовлення 1575265 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1100+ | 32.15 грн |
| 10000+ | 28.66 грн |
| 100000+ | 24.03 грн |
| PBSS5630PA,115 |
Виробник: NXP Semiconductors
Trans GP BJT PNP 30V 6A Automotive 3-Pin HUSON T/R
Trans GP BJT PNP 30V 6A Automotive 3-Pin HUSON T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1100+ | 32.15 грн |



