на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2841+ | 10.89 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис PBSS5630PA,115 Nexperia
Description: NEXPERIA - PBSS5630PA,115 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 30 V, 6 A, 500 mW, HUSON, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 110hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 500mW, Bauform - Transistor: HUSON, Dauerkollektorstrom: 6A, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 30V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: PNP, Übergangsfrequenz: 80MHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).
Інші пропозиції PBSS5630PA,115 за ціною від 13.07 грн до 77.74 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
PBSS5630PA,115 | Виробник : NEXPERIA |
 Description: NEXPERIA - PBSS5630PA,115 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 30 V, 6 A, 500 mW, HUSON, OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 110hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 500mW Bauform - Transistor: HUSON Dauerkollektorstrom: 6A Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 30V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: PNP Übergangsfrequenz: 80MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
на замовлення 3445 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
 |
PBSS5630PA,115 | Виробник : Nexperia USA Inc. |
Description: TRANS PNP 30V 6A 3HUSON Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 3-PowerUDFN Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 350mV @ 300mA, 6A Current - Collector Cutoff (Max): 100nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 190 @ 2A, 2V Frequency - Transition: 80MHz Supplier Device Package: 3-HUSON (2x2) Current - Collector (Ic) (Max): 6 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V Power - Max: 2.1 W |
на замовлення 2997 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
|
|
PBSS5630PA,115 | Виробник : NEXPERIA |
Description: NEXPERIA - PBSS5630PA,115 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 30 V, 6 A, 500 mW, HUSON, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 110hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 500mW Bauform - Transistor: HUSON Dauerkollektorstrom: 6A Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 30V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: PNP Übergangsfrequenz: 80MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
на замовлення 445 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
| PBSS5630PA,115 | Виробник : NXP Semiconductors |
Trans GP BJT PNP 30V 6A Automotive 3-Pin HUSON T/R |
на замовлення 3429 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||
| PBSS5630PA,115 | Виробник : NXP Semiconductors |
Trans GP BJT PNP 30V 6A Automotive 3-Pin HUSON T/R |
на замовлення 1575265 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||
| PBSS5630PA,115 | Виробник : NXP Semiconductors |
Trans GP BJT PNP 30V 6A Automotive 3-Pin HUSON T/R |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||
 |
PBSS5630PA,115 | Виробник : NEXPERIA |
Trans GP BJT PNP 30V 6A 2100mW 3-Pin HUSON T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||
|
|
PBSS5630PA,115 | Виробник : Nexperia |
Trans GP BJT PNP 30V 6A 2100mW 3-Pin HUSON T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||
|
|
PBSS5630PA,115 | Виробник : Nexperia USA Inc. |
Description: TRANS PNP 30V 6A 3HUSON Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 3-PowerUDFN Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 350mV @ 300mA, 6A Current - Collector Cutoff (Max): 100nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 190 @ 2A, 2V Frequency - Transition: 80MHz Supplier Device Package: 3-HUSON (2x2) Current - Collector (Ic) (Max): 6 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V Power - Max: 2.1 W |
товару немає в наявності |
|||||||||||
 |
PBSS5630PA,115 | Виробник : Nexperia |
Bipolar Transistors - BJT TRANS-SS PNP SOT1061 30V |
товару немає в наявності |