PBSS8110D,115 Nexperia
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2804+ | 4.61 грн |
| 3779+ | 3.42 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис PBSS8110D,115 Nexperia
Description: NEXPERIA - PBSS8110D,115 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 100 V, 1 A, 300 mW, TSOP, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 80hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: N, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 300mW, Bauform - Transistor: TSOP, Dauerkollektorstrom: 1A, Anzahl der Pins: 6Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 100V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: NPN, Übergangsfrequenz: 100MHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025).
Інші пропозиції PBSS8110D,115 за ціною від 4.96 грн до 49.33 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
PBSS8110D,115 | Виробник : Nexperia |
 Trans GP BJT NPN 100V 1A 700mW 6-Pin TSOP T/R Automotive AEC-Q101 |
на замовлення 4837 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
PBSS8110D,115 | Виробник : Nexperia |
Trans GP BJT NPN 100V 1A 700mW 6-Pin TSOP T/R Automotive AEC-Q101 |
на замовлення 4837 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
PBSS8110D,115 | Виробник : Nexperia USA Inc. |
Description: TRANS NPN 100V 1A 6-TSOP Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SC-74, SOT-457 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 200mV @ 100mA, 1A Current - Collector Cutoff (Max): 100nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 150 @ 250mA, 10V Frequency - Transition: 100MHz Supplier Device Package: 6-TSOP Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 1 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V Power - Max: 700 mW Grade: Automotive Qualification: AEC-Q100 |
на замовлення 33000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
PBSS8110D,115 | Виробник : Nexperia |
Trans GP BJT NPN 100V 1A 700mW 6-Pin TSOP T/R Automotive AEC-Q101 |
на замовлення 6000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
PBSS8110D,115 | Виробник : Nexperia |
Trans GP BJT NPN 100V 1A 700mW 6-Pin TSOP T/R Automotive AEC-Q101 |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
PBSS8110D,115 | Виробник : Nexperia |
Trans GP BJT NPN 100V 1A 700mW 6-Pin TSOP T/R Automotive AEC-Q101 |
на замовлення 6000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
PBSS8110D,115 | Виробник : Nexperia |
Trans GP BJT NPN 100V 1A 700mW 6-Pin TSOP T/R Automotive AEC-Q101 |
на замовлення 33000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
PBSS8110D,115 | Виробник : NEXPERIA |
Description: NEXPERIA - PBSS8110D,115 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 100 V, 1 A, 300 mW, TSOP, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 80hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 300mW Bauform - Transistor: TSOP Dauerkollektorstrom: 1A Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 100V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 100MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
на замовлення 3175 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
PBSS8110D,115 | Виробник : Nexperia |
Bipolar Transistors - BJT The factory is currently not accepting orders for this product. |
на замовлення 2017 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
PBSS8110D,115 | Виробник : Nexperia USA Inc. |
Description: TRANS NPN 100V 1A 6-TSOP Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SC-74, SOT-457 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 200mV @ 100mA, 1A Current - Collector Cutoff (Max): 100nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 150 @ 250mA, 10V Frequency - Transition: 100MHz Supplier Device Package: 6-TSOP Grade: Automotive Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 1 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V Power - Max: 700 mW Qualification: AEC-Q100 |
на замовлення 34918 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
PBSS8110D,115 | Виробник : Nexperia |
Trans GP BJT NPN 100V 1A 700mW 6-Pin TSOP T/R Automotive AEC-Q101 |
на замовлення 5350 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
PBSS8110D,115 | Виробник : NEXPERIA |
Description: NEXPERIA - PBSS8110D,115 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 100 V, 1 A, 300 mW, TSOP, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 80hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 300mW Bauform - Transistor: TSOP Dauerkollektorstrom: 1A Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 100V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 100MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
на замовлення 3175 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
PBSS8110D,115 | Виробник : Nexperia |
Trans GP BJT NPN 100V 1A 700mW 6-Pin TSOP T/R Automotive AEC-Q101 |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||
| PBSS8110D,115 | Виробник : NXP |
MOSFET P-CH 60V 103A DFN5*6-8L Група товару: Транзистори Од. вим: шт |
товару немає в наявності |