
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна |
---|---|
3000+ | 5.56 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис PBSS8110T,215 Nexperia
Description: NEXPERIA - PBSS8110T,215 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 100 V, 1 A, 300 mW, SOT-23, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 150hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: -, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 300mW, Bauform - Transistor: SOT-23, Dauerkollektorstrom: 1A, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 100V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: NPN, Übergangsfrequenz: 100MHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).
Інші пропозиції PBSS8110T,215 за ціною від 4.89 грн до 38.76 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
PBSS8110T,215 | Виробник : Nexperia |
![]() |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
![]() |
PBSS8110T,215 | Виробник : NEXPERIA |
![]() |
на замовлення 12000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
![]() |
PBSS8110T,215 | Виробник : Nexperia |
![]() |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
![]() |
PBSS8110T,215 | Виробник : Nexperia |
![]() |
на замовлення 9000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
![]() |
PBSS8110T,215 | Виробник : Nexperia |
![]() |
на замовлення 12000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
![]() |
PBSS8110T,215 | Виробник : Nexperia |
![]() |
на замовлення 6000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
![]() |
PBSS8110T,215 | Виробник : Nexperia USA Inc. |
![]() Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 200mV @ 100mA, 1A Current - Collector Cutoff (Max): 100nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 150 @ 250mA, 10V Frequency - Transition: 100MHz Supplier Device Package: TO-236AB Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 1 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V Power - Max: 480 mW |
на замовлення 42000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
![]() |
PBSS8110T,215 | Виробник : Nexperia |
![]() |
на замовлення 485800 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
![]() |
PBSS8110T,215 | Виробник : Nexperia |
![]() |
на замовлення 12000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
![]() |
PBSS8110T,215 | Виробник : Nexperia |
![]() |
на замовлення 150000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
![]() |
PBSS8110T,215 | Виробник : Nexperia |
![]() |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
![]() |
PBSS8110T,215 | Виробник : Nexperia |
![]() |
на замовлення 150000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
![]() |
PBSS8110T,215 | Виробник : Nexperia |
![]() |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
![]() |
PBSS8110T,215 | Виробник : Nexperia |
![]() |
на замовлення 2138 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
![]() |
PBSS8110T,215 | Виробник : Nexperia |
![]() |
на замовлення 2138 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
![]() |
PBSS8110T,215 | Виробник : Nexperia |
![]() |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
![]() |
PBSS8110T,215 | Виробник : NEXPERIA |
![]() tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 150hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: - usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 300mW Bauform - Transistor: SOT-23 Dauerkollektorstrom: 1A Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 100V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 100MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
на замовлення 4309 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
![]() |
PBSS8110T,215 | Виробник : Nexperia |
![]() |
на замовлення 1195 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
![]() |
PBSS8110T,215 | Виробник : NEXPERIA |
![]() Description: Transistor: NPN; bipolar; 100V; 1A; 480mW; SOT23,TO236AB Mounting: SMD Case: SOT23; TO236AB Type of transistor: NPN Power dissipation: 0.48W Collector current: 1A Collector-emitter voltage: 100V Frequency: 100MHz Kind of package: 7 inch reel; tape Polarisation: bipolar |
на замовлення 4491 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
![]() |
PBSS8110T,215 | Виробник : Nexperia USA Inc. |
![]() Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 200mV @ 100mA, 1A Current - Collector Cutoff (Max): 100nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 150 @ 250mA, 10V Frequency - Transition: 100MHz Supplier Device Package: TO-236AB Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 1 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V Power - Max: 480 mW |
на замовлення 43825 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
![]() |
PBSS8110T,215 | Виробник : Nexperia |
![]() |
на замовлення 18388 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
![]() |
PBSS8110T,215 | Виробник : NEXPERIA |
![]() Description: Transistor: NPN; bipolar; 100V; 1A; 480mW; SOT23,TO236AB Mounting: SMD Case: SOT23; TO236AB Type of transistor: NPN Power dissipation: 0.48W Collector current: 1A Collector-emitter voltage: 100V Frequency: 100MHz Kind of package: 7 inch reel; tape Polarisation: bipolar кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 4491 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
![]() |
PBSS8110T,215 | Виробник : NEXPERIA |
![]() tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 150hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: - usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 300mW Bauform - Transistor: SOT-23 Dauerkollektorstrom: 1A Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 100V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 100MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
на замовлення 4309 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|