Продукція > NEXPERIA > PBSS8510PA,115
PBSS8510PA,115

PBSS8510PA,115 NEXPERIA


15213678823448pbss8510pa.pdf Виробник: NEXPERIA
Trans GP BJT NPN 100V 5.2A 2100mW 3-Pin HUSON T/R
на замовлення 6000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
6000+8.49 грн
Мінімальне замовлення: 6000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис PBSS8510PA,115 NEXPERIA

Description: TRANS NPN 100V 5.2A 3HUSON, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 3-PowerUDFN, Mounting Type: Surface Mount, Transistor Type: NPN, Operating Temperature: 150°C (TJ), Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 340mV @ 260mA, 5.2A, Current - Collector Cutoff (Max): 100nA, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 95 @ 2A, 2V, Frequency - Transition: 150MHz, Supplier Device Package: 3-HUSON (2x2), Part Status: Active, Current - Collector (Ic) (Max): 5.2 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V, Power - Max: 2.1 W.

Інші пропозиції PBSS8510PA,115 за ціною від 10.96 грн до 60.11 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
PBSS8510PA,115 PBSS8510PA,115 Виробник : Nexperia USA Inc. PBSS8510PA.pdf Description: TRANS NPN 100V 5.2A 3HUSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 3-PowerUDFN
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 340mV @ 260mA, 5.2A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 95 @ 2A, 2V
Frequency - Transition: 150MHz
Supplier Device Package: 3-HUSON (2x2)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 5.2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 2.1 W
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+12.42 грн
6000+10.96 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
PBSS8510PA,115 PBSS8510PA,115 Виробник : Nexperia USA Inc. PBSS8510PA.pdf Description: TRANS NPN 100V 5.2A 3HUSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 3-PowerUDFN
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 340mV @ 260mA, 5.2A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 95 @ 2A, 2V
Frequency - Transition: 150MHz
Supplier Device Package: 3-HUSON (2x2)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 5.2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 2.1 W
на замовлення 7625 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
7+53.00 грн
10+31.63 грн
100+20.36 грн
500+14.56 грн
1000+13.09 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
PBSS8510PA,115 PBSS8510PA,115 Виробник : Nexperia PBSS8510PA.pdf Bipolar Transistors - BJT 100 V, 1 A PNP low VCEsat transistor
на замовлення 5759 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
6+60.11 грн
10+37.14 грн
100+21.16 грн
500+16.18 грн
1000+14.18 грн
3000+12.17 грн
6000+11.14 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.