Інші пропозиції PBSS9110T,215 за ціною від 4.23 грн до 27.85 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
PBSS9110T,215 | Виробник : Nexperia |
Trans GP BJT PNP 100V 1A 480mW 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 1215 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
PBSS9110T,215 | Виробник : Nexperia |
Trans GP BJT PNP 100V 1A 480mW 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 357000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
PBSS9110T,215 | Виробник : Nexperia |
Trans GP BJT PNP 100V 1A 480mW 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 366000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
PBSS9110T,215 | Виробник : Nexperia USA Inc. |
Description: TRANS PNP 100V 1A TO-236ABPackaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 320mV @ 100mA, 1A Current - Collector Cutoff (Max): 100nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 150 @ 500mA, 5V Frequency - Transition: 100MHz Supplier Device Package: TO-236AB Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 1 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V Power - Max: 480 mW |
на замовлення 9000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
PBSS9110T,215 | Виробник : Nexperia |
Trans GP BJT PNP 100V 1A 480mW 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 53000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
PBSS9110T,215 | Виробник : Nexperia |
Trans GP BJT PNP 100V 1A 480mW 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 9000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
PBSS9110T,215 | Виробник : Nexperia |
Trans GP BJT PNP 100V 1A 480mW 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 9000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
PBSS9110T,215 | Виробник : Nexperia |
Trans GP BJT PNP 100V 1A 480mW 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 321000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
PBSS9110T,215 | Виробник : Nexperia |
Trans GP BJT PNP 100V 1A 480mW 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 321000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
PBSS9110T,215 | Виробник : Nexperia |
Trans GP BJT PNP 100V 1A 480mW 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 357000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
PBSS9110T,215 | Виробник : NXP |
TRANS PNP 100V 1A SOT23 Група товару: Транзистори Од. вим: шт |
на замовлення 893 шт: термін постачання 5 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
PBSS9110T,215 | Виробник : Nexperia USA Inc. |
Description: TRANS PNP 100V 1A TO-236ABPackaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 320mV @ 100mA, 1A Current - Collector Cutoff (Max): 100nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 150 @ 500mA, 5V Frequency - Transition: 100MHz Supplier Device Package: TO-236AB Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 1 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V Power - Max: 480 mW |
на замовлення 9864 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
PBSS9110T,215 | Виробник : Nexperia |
Bipolar Transistors - BJT TRANS-SS PNP SOT23 100V |
на замовлення 4371 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
PBSS9110T,215 | Виробник : Nexperia |
Trans GP BJT PNP 100V 1A 480mW 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 1215 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|||||||||||||||||
|
PBSS9110T,215 | Виробник : NEXPERIA |
Description: NEXPERIA - PBSS9110T,215 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 100 V, 1 A, 300 mW, SOT-23, OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 150hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 300mW Bauform - Transistor: SOT-23 Dauerkollektorstrom: 1A Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 100V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: PNP Übergangsfrequenz: - Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
|
PBSS9110T,215 | Виробник : Nexperia |
Trans GP BJT PNP 100V 1A 480mW 3-Pin SOT-23 T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
|
PBSS9110T,215 | Виробник : NEXPERIA |
Description: NEXPERIA - PBSS9110T,215 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 100 V, 1 A, 300 mW, SOT-23, OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 150hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 300mW Bauform - Transistor: SOT-23 Dauerkollektorstrom: 1A Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 100V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: PNP Übergangsfrequenz: - Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
|
PBSS9110T,215 | Виробник : NEXPERIA |
Category: PNP SMD transistorsDescription: Transistor: PNP; bipolar; 100V; 1A; SOT23,TO236AB Type of transistor: PNP Mounting: SMD Case: SOT23; TO236AB Collector current: 1A Current gain: 125...450 Collector-emitter voltage: 100V Frequency: 100MHz Kind of package: 7 inch reel; tape Polarisation: bipolar |
товару немає в наявності |






