PBSS9110T,215 NEXPERIA
на замовлення 825000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
3000+ | 4.97 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис PBSS9110T,215 NEXPERIA
Description: NEXPERIA - PBSS9110T,215 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 100 V, 1 A, 300 mW, SOT-23, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 150hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Dauer-Kollektorstrom: 1A, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 300mW, Bauform - Transistor: SOT-23, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 100V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: PNP, Übergangsfrequenz: -MHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (27-Jun-2024).
Інші пропозиції PBSS9110T,215 за ціною від 3.83 грн до 27.24 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
PBSS9110T,215 | Виробник : NEXPERIA |
Description: NEXPERIA - PBSS9110T,215 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 100 V, 1 A, 300 mW, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 150hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Dauer-Kollektorstrom: 1A MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 300mW Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 100V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: PNP Übergangsfrequenz: -MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
на замовлення 12941 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
PBSS9110T,215 | Виробник : Nexperia USA Inc. |
Description: TRANS PNP 100V 1A TO236AB Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 320mV @ 100mA, 1A Current - Collector Cutoff (Max): 100nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 150 @ 500mA, 5V Frequency - Transition: 100MHz Supplier Device Package: TO-236AB Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 1 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V Power - Max: 480 mW |
на замовлення 30000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
PBSS9110T,215 | Виробник : NEXPERIA |
Description: NEXPERIA - PBSS9110T,215 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 100 V, 1 A, 300 mW, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 150hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Dauer-Kollektorstrom: 1A MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 300mW Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 100V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: PNP Übergangsfrequenz: -MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
на замовлення 12941 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
PBSS9110T,215 | Виробник : NEXPERIA |
Category: PNP SMD transistors Description: Transistor: PNP; bipolar; 100V; 1A; SOT23,TO236AB Type of transistor: PNP Polarisation: bipolar Collector-emitter voltage: 100V Collector current: 1A Case: SOT23; TO236AB Current gain: 125...450 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Frequency: 100MHz |
на замовлення 880 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
PBSS9110T,215 | Виробник : Nexperia USA Inc. |
Description: TRANS PNP 100V 1A TO236AB Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 320mV @ 100mA, 1A Current - Collector Cutoff (Max): 100nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 150 @ 500mA, 5V Frequency - Transition: 100MHz Supplier Device Package: TO-236AB Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 1 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V Power - Max: 480 mW |
на замовлення 31207 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
PBSS9110T,215 | Виробник : Nexperia | Bipolar Transistors - BJT PBSS9110T/SOT23/TO-236AB |
на замовлення 8313 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
PBSS9110T,215 | Виробник : NEXPERIA |
Category: PNP SMD transistors Description: Transistor: PNP; bipolar; 100V; 1A; SOT23,TO236AB Type of transistor: PNP Polarisation: bipolar Collector-emitter voltage: 100V Collector current: 1A Case: SOT23; TO236AB Current gain: 125...450 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Frequency: 100MHz кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 880 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
PBSS9110T,215 | Виробник : NXP Semiconductors | TRANS PNP 100V 1A SOT23 |
на замовлення 1908 шт: термін постачання 5 дні (днів) |
||||||||||||||||||
PBSS9110T,215 Код товару: 176811 |
Транзистори > Біполярні PNP |
товар відсутній
|