PCDB0665G1_R2_00001 Panjit International Inc.
Виробник: Panjit International Inc.Description: 650V SIC SCHOTTKY BARRIER DIODE
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 228pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 6A
Supplier Device Package: TO-263
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 6 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 µA @ 650 V
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 800+ | 106.99 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис PCDB0665G1_R2_00001 Panjit International Inc.
Description: 650V SIC SCHOTTKY BARRIER DIODE, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB, Mounting Type: Surface Mount, Speed: No Recovery Time > 500mA (Io), Reverse Recovery Time (trr): 0 ns, Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky, Capacitance @ Vr, F: 228pF @ 1V, 1MHz, Current - Average Rectified (Io): 6A, Supplier Device Package: TO-263, Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C, Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 6 A, Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 µA @ 650 V.
Інші пропозиції PCDB0665G1_R2_00001 за ціною від 94.17 грн до 298.43 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
PCDB0665G1_R2_00001 | Виробник : Panjit |
SiC Schottky Diodes 650V SiC Schottky Barrier Diode |
на замовлення 2400 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
PCDB0665G1_R2_00001 | Виробник : Panjit International Inc. |
Description: 650V SIC SCHOTTKY BARRIER DIODE Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Speed: No Recovery Time > 500mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 0 ns Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky Capacitance @ Vr, F: 228pF @ 1V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 6A Supplier Device Package: TO-263 Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 6 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 µA @ 650 V |
на замовлення 800 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
| PCDB0665G1_R2_00001 | Виробник : PanJit Semiconductor |
PCDB0665G1-R2 SMD Schottky diodes |
товару немає в наявності |
||||||||||||||||
|
|
PCDB0665G1-R2-00001 | Виробник : Panjit | Schottky Diodes & Rectifiers TO-263/SIC/TO/SIC-60DWH |
товару немає в наявності |