Продукція > PANJIT INTERNATIONAL INC. > PCDB20120G1_R2_00001
PCDB20120G1_R2_00001

PCDB20120G1_R2_00001 Panjit International Inc.

PCDB20120G1.pdf
Виробник: Panjit International Inc.
Description: DIODE SIL CARB 1200V 20A TO263
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 1040pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 20A
Supplier Device Package: TO-263
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 20 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 180 µA @ 1200 V
на замовлення 765 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+843.42 грн
10+563.22 грн
100+422.64 грн
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис PCDB20120G1_R2_00001 Panjit International Inc.

Description: DIODE SIL CARB 1200V 20A TO263, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB, Mounting Type: Surface Mount, Speed: No Recovery Time > 500mA (Io), Reverse Recovery Time (trr): 0 ns, Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky, Capacitance @ Vr, F: 1040pF @ 1V, 1MHz, Current - Average Rectified (Io): 20A, Supplier Device Package: TO-263, Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C, Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 20 A, Current - Reverse Leakage @ Vr: 180 µA @ 1200 V.

Інші пропозиції PCDB20120G1_R2_00001

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
PCDB20120G1_R2_00001 PCDB20120G1_R2_00001 Panjit International Inc. PCDB20120G1.pdf Description: DIODE SIL CARB 1200V 20A TO263
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 1040pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 20A
Supplier Device Package: TO-263
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 20 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 180 µA @ 1200 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PCDB20120G1_R2_00001 PCDB20120G1_R2_00001 Panjit PCDB20120G1-2891594.pdf Schottky Diodes & Rectifiers 1200V SiC Schottky Barrier Diode
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2400 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PCDB20120G1_R2_00001 PCDB20120G1_R2_00001 PanJit Semiconductor PCDB20120G1.pdf Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; TO263; SiC; SMD; 1.2kV; 20A; reel,tape
Mounting: SMD
Max. forward impulse current: 960A
Max. forward voltage: 2V
Power dissipation: 267.9W
Technology: SiC
Max. off-state voltage: 1.2kV
Load current: 20A
Max. load current: 152A
Kind of package: reel; tape
Semiconductor structure: single diode
Leakage current: 180µA
Case: TO263
Type of diode: Schottky rectifying
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PCDB20120G1_R2_00001 PCDB20120G1.pdf
PCDB20120G1_R2_00001
Виробник: Panjit International Inc.
Description: DIODE SIL CARB 1200V 20A TO263
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 1040pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 20A
Supplier Device Package: TO-263
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 20 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 180 µA @ 1200 V
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PCDB20120G1_R2_00001 PCDB20120G1-2891594.pdf
PCDB20120G1_R2_00001
Виробник: Panjit
Schottky Diodes & Rectifiers 1200V SiC Schottky Barrier Diode
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 2400 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PCDB20120G1_R2_00001 PCDB20120G1.pdf
PCDB20120G1_R2_00001
Виробник: PanJit Semiconductor
Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; TO263; SiC; SMD; 1.2kV; 20A; reel,tape
Mounting: SMD
Max. forward impulse current: 960A
Max. forward voltage: 2V
Power dissipation: 267.9W
Technology: SiC
Max. off-state voltage: 1.2kV
Load current: 20A
Max. load current: 152A
Kind of package: reel; tape
Semiconductor structure: single diode
Leakage current: 180µA
Case: TO263
Type of diode: Schottky rectifying
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.