PCDD08120G1_L2_00001 Panjit International Inc.
Виробник: Panjit International Inc.
Description: DIODE SIL CARB 1200V 8A TO252AA
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 418pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 8A
Supplier Device Package: TO-252AA
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 8 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 60 µA @ 1200 V
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 419.34 грн |
| 10+ | 269.61 грн |
| 100+ | 193.87 грн |
| 500+ | 165.03 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис PCDD08120G1_L2_00001 Panjit International Inc.
Description: DIODE SIL CARB 1200V 8A TO252AA, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63, Mounting Type: Surface Mount, Speed: No Recovery Time > 500mA (Io), Reverse Recovery Time (trr): 0 ns, Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky, Capacitance @ Vr, F: 418pF @ 1V, 1MHz, Current - Average Rectified (Io): 8A, Supplier Device Package: TO-252AA, Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C, Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 8 A, Current - Reverse Leakage @ Vr: 60 µA @ 1200 V.
Інші пропозиції PCDD08120G1_L2_00001
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
 |
PCDD08120G1_L2_00001 | Panjit |
SiC Schottky Diodes 1200V SiC Schottky Barrier Diode |
на замовлення 1797 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
| PCDD08120G1_L2_00001 |
|
Виробник: Panjit
SiC Schottky Diodes 1200V SiC Schottky Barrier Diode
SiC Schottky Diodes 1200V SiC Schottky Barrier Diode
на замовлення 1797 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)