на замовлення 3941 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 582.78 грн |
| 10+ | 398.48 грн |
| 100+ | 258.96 грн |
| 500+ | 239.10 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис PCDD08120G1_L2_00001 Panjit
Description: 1200V SIC SCHOTTKY BARRIER DIODE, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63, Mounting Type: Surface Mount, Speed: No Recovery Time > 500mA (Io), Reverse Recovery Time (trr): 0 ns, Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky, Capacitance @ Vr, F: 418pF @ 1V, 1MHz, Current - Average Rectified (Io): 8A, Supplier Device Package: TO-252AA, Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C, Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 8 A, Current - Reverse Leakage @ Vr: 60 µA @ 1200 V.
Інші пропозиції PCDD08120G1_L2_00001 за ціною від 225.63 грн до 588.10 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
PCDD08120G1_L2_00001 | Виробник : Panjit International Inc. |
 Description: 1200V SIC SCHOTTKY BARRIER DIODEPackaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Speed: No Recovery Time > 500mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 0 ns Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky Capacitance @ Vr, F: 418pF @ 1V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 8A Supplier Device Package: TO-252AA Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 8 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 60 µA @ 1200 V |
на замовлення 2138 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
| PCDD08120G1_L2_00001 | Виробник : PanJit Semiconductor |
PCDD08120G1-L2 SMD Schottky diodes |
товару немає в наявності |
||||||||||||
|
|
PCDD08120G1_L2_00001 | Виробник : Panjit International Inc. |
Description: 1200V SIC SCHOTTKY BARRIER DIODE Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Speed: No Recovery Time > 500mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 0 ns Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky Capacitance @ Vr, F: 418pF @ 1V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 8A Supplier Device Package: TO-252AA Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 8 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 60 µA @ 1200 V |
товару немає в наявності |