Продукція > PANJIT > PCDD1065G1_L2_00001
PCDD1065G1_L2_00001

PCDD1065G1_L2_00001 Panjit

PCDD1065G1.pdf
Виробник: Panjit
SiC Schottky Diodes 650V SiC Schottky Barrier Diode
на замовлення 2983 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+272.31 грн
10+175.20 грн
100+121.60 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис PCDD1065G1_L2_00001 Panjit

Description: DIODE SIL CARB 650V 10A TO252AA, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63, Mounting Type: Surface Mount, Speed: No Recovery Time > 500mA (Io), Reverse Recovery Time (trr): 0 ns, Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky, Capacitance @ Vr, F: 364pF @ 1V, 1MHz, Current - Average Rectified (Io): 10A, Supplier Device Package: TO-252AA, Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C, Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 10 A, Current - Reverse Leakage @ Vr: 70 µA @ 650 V.

Інші пропозиції PCDD1065G1_L2_00001 за ціною від 118.35 грн до 351.42 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
PCDD1065G1_L2_00001 PCDD1065G1_L2_00001 Виробник : Panjit International Inc. PCDD1065G1.pdf Description: DIODE SIL CARB 650V 10A TO252AA
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 364pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 10A
Supplier Device Package: TO-252AA
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 70 µA @ 650 V
на замовлення 2187 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+351.42 грн
10+225.38 грн
100+161.06 грн
500+125.42 грн
1000+118.35 грн
В кошику  од. на суму  грн.
PCDD1065G1_L2_00001 PCDD1065G1_L2_00001 Виробник : Panjit International Inc. PCDD1065G1.pdf Description: DIODE SIL CARB 650V 10A TO252AA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 364pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 10A
Supplier Device Package: TO-252AA
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 70 µA @ 650 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PCDD1065G1-L2-00001 PCDD1065G1-L2-00001 Виробник : Panjit PCDD1065G1-2853794.pdf Schottky Diodes & Rectifiers TO-252AA/SIC/TO/SIC-100SWH
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.