PCDD1065GB_L2_00601 Panjit International Inc.
Виробник: Panjit International Inc.Description: DIODE SIL CARB 650V 10A TO252AA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 610pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 10A
Supplier Device Package: TO-252AA
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.6 V @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 µA @ 650 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3000+ | 169.03 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис PCDD1065GB_L2_00601 Panjit International Inc.
Description: DIODE SIL CARB 650V 10A TO252AA, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63, Mounting Type: Surface Mount, Speed: No Recovery Time > 500mA (Io), Reverse Recovery Time (trr): 0 ns, Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky, Capacitance @ Vr, F: 610pF @ 1V, 1MHz, Current - Average Rectified (Io): 10A, Supplier Device Package: TO-252AA, Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C, Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.6 V @ 10 A, Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 µA @ 650 V.
Інші пропозиції PCDD1065GB_L2_00601 за ціною від 186.97 грн до 429.64 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
PCDD1065GB_L2_00601 | Виробник : Panjit International Inc. |
Description: DIODE SIL CARB 650V 10A TO252AA Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Speed: No Recovery Time > 500mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 0 ns Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky Capacitance @ Vr, F: 610pF @ 1V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 10A Supplier Device Package: TO-252AA Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.6 V @ 10 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 µA @ 650 V |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
| PCDD1065GB_L2_00601 | Виробник : PanJit Semiconductor |
Category: SMD Schottky diodes Description: Diode: Schottky rectifying; TO252AA; SiC; SMD; 650V; 10A; reel,tape Case: TO252AA Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Type of diode: Schottky rectifying Technology: SiC Semiconductor structure: single diode Leakage current: 0.1mA Max. forward voltage: 1.4V Load current: 10A Max. load current: 36A Power dissipation: 90W Max. forward impulse current: 664A Max. off-state voltage: 650V кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
||||||||||||
 |
PCDD1065GB_L2_00601 | Виробник : Panjit |
SiC Schottky Diodes 650V/10A Silicon Carbide Schottky Barrier Diode |
товару немає в наявності |
|||||||||||
| PCDD1065GB-L2-00601 | Виробник : Panjit | SiC Schottky Diodes SMA/SKY/SMD/SBM-20AH |
товару немає в наявності |
||||||||||||
| PCDD1065GB_L2_00601 | Виробник : PanJit Semiconductor |
Category: SMD Schottky diodes Description: Diode: Schottky rectifying; TO252AA; SiC; SMD; 650V; 10A; reel,tape Case: TO252AA Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Type of diode: Schottky rectifying Technology: SiC Semiconductor structure: single diode Leakage current: 0.1mA Max. forward voltage: 1.4V Load current: 10A Max. load current: 36A Power dissipation: 90W Max. forward impulse current: 664A Max. off-state voltage: 650V |
товару немає в наявності |