PCDF0665G1_T0_00601

PCDF0665G1_T0_00601 Panjit International Inc.


PCDF0665G1.pdf Виробник: Panjit International Inc.
Description: DIODE SIL CARB 650V 6A ITO220AC
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-2 Full Pack, Isolated Tab
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 232pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 6A
Supplier Device Package: ITO-220AC
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 6 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 µA @ 650 V
на замовлення 2000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+309.57 грн
50+146.88 грн
100+144.55 грн
500+127.22 грн
1000+121.52 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис PCDF0665G1_T0_00601 Panjit International Inc.

Description: DIODE SIL CARB 650V 6A ITO220AC, Packaging: Tube, Package / Case: TO-220-2 Full Pack, Isolated Tab, Mounting Type: Through Hole, Speed: No Recovery Time > 500mA (Io), Reverse Recovery Time (trr): 0 ns, Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky, Capacitance @ Vr, F: 232pF @ 1V, 1MHz, Current - Average Rectified (Io): 6A, Supplier Device Package: ITO-220AC, Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C, Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 6 A, Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 µA @ 650 V.

Інші пропозиції PCDF0665G1_T0_00601 за ціною від 139.78 грн до 357.91 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
PCDF0665G1_T0_00601 PCDF0665G1_T0_00601 Виробник : Panjit PCDF0665G1-3385815.pdf SiC Schottky Diodes 650V/6A Through Hole Silicon Carbide Schottky Barrier Diode
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+357.91 грн
10+188.67 грн
100+140.52 грн
500+139.78 грн
В кошику  од. на суму  грн.
PCDF0665G1_T0_00601 Виробник : PanJit Semiconductor PCDF0665G1.pdf Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 6A; ITO220AC; Ir: 50uA
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 650V
Load current: 6A
Semiconductor structure: single diode
Case: ITO220AC
Kind of package: tube
Max. load current: 24A
Max. forward voltage: 1.8V
Max. forward impulse current: 0.32kA
Leakage current: 50µA
Power dissipation: 70.8W
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PCDF0665G1_T0_00601 Виробник : PanJit Semiconductor PCDF0665G1.pdf Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 6A; ITO220AC; Ir: 50uA
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 650V
Load current: 6A
Semiconductor structure: single diode
Case: ITO220AC
Kind of package: tube
Max. load current: 24A
Max. forward voltage: 1.8V
Max. forward impulse current: 0.32kA
Leakage current: 50µA
Power dissipation: 70.8W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.