PCDF0665G1_T0_00601 Panjit International Inc.
Виробник: Panjit International Inc.Description: DIODE SIL CARB 650V 6A ITO220AC
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-2 Full Pack, Isolated Tab
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 232pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 6A
Supplier Device Package: ITO-220AC
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 6 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 µA @ 650 V
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 297.89 грн |
| 50+ | 140.00 грн |
| 100+ | 133.66 грн |
| 500+ | 114.77 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис PCDF0665G1_T0_00601 Panjit International Inc.
Description: DIODE SIL CARB 650V 6A ITO220AC, Packaging: Tube, Package / Case: TO-220-2 Full Pack, Isolated Tab, Mounting Type: Through Hole, Speed: No Recovery Time > 500mA (Io), Reverse Recovery Time (trr): 0 ns, Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky, Capacitance @ Vr, F: 232pF @ 1V, 1MHz, Current - Average Rectified (Io): 6A, Supplier Device Package: ITO-220AC, Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C, Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 6 A, Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 µA @ 650 V.
Інші пропозиції PCDF0665G1_T0_00601 за ціною від 150.68 грн до 308.92 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
PCDF0665G1_T0_00601 | Виробник : Panjit |
SiC Schottky Diodes 650V/6A Through Hole Silicon Carbide Schottky Barrier Diode |
на замовлення 1988 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||
| PCDF0665G1_T0_00601 | Виробник : PanJit Semiconductor |
Category: THT Schottky diodes Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 6A; ITO220AC; Ir: 50uA Kind of package: tube Case: ITO220AC Type of diode: Schottky rectifying Technology: SiC Semiconductor structure: single diode Mounting: THT Leakage current: 50µA Load current: 6A Max. forward voltage: 1.8V Max. load current: 24A Max. forward impulse current: 0.32kA Power dissipation: 70.8W Max. off-state voltage: 650V |
товару немає в наявності |