PCDF0865G1_T0_00601 Panjit International Inc.
Виробник: Panjit International Inc.Description: DIODE SIL CARB 650V 8A ITO220AC
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-2 Full Pack, Isolated Tab
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 300pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 8A
Supplier Device Package: ITO-220AC
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 8 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 60 µA @ 650 V
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 403.95 грн |
| 50+ | 205.64 грн |
| 100+ | 187.93 грн |
| 500+ | 147.24 грн |
| 1000+ | 142.49 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис PCDF0865G1_T0_00601 Panjit International Inc.
Description: DIODE SIL CARB 650V 8A ITO220AC, Packaging: Tube, Package / Case: TO-220-2 Full Pack, Isolated Tab, Mounting Type: Through Hole, Speed: No Recovery Time > 500mA (Io), Reverse Recovery Time (trr): 0 ns, Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky, Capacitance @ Vr, F: 300pF @ 1V, 1MHz, Current - Average Rectified (Io): 8A, Supplier Device Package: ITO-220AC, Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C, Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 8 A, Current - Reverse Leakage @ Vr: 60 µA @ 650 V.
Інші пропозиції PCDF0865G1_T0_00601
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
|---|---|---|---|---|---|
 |
PCDF0865G1_T0_00601 | Виробник : Panjit |
SiC Schottky Diodes 650V/8A Through Hole Silicon Carbide Schottky Barrier Diode |
товару немає в наявності |