
PCDH20120CCG1_T0_00601 Panjit International Inc.

Description: DIODE ARR SIC 1200V 10A TO247AD
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 10A (DC)
Supplier Device Package: TO-247AD
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 µA @ 1200 V
на замовлення 1495 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 955.05 грн |
10+ | 810.21 грн |
100+ | 700.70 грн |
500+ | 595.93 грн |
1000+ | 546.61 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис PCDH20120CCG1_T0_00601 Panjit International Inc.
Description: DIODE ARR SIC 1200V 10A TO247AD, Packaging: Tube, Package / Case: TO-247-3, Mounting Type: Through Hole, Speed: No Recovery Time > 500mA (Io), Reverse Recovery Time (trr): 0 ns, Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky, Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode, Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 10A (DC), Supplier Device Package: TO-247AD, Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C, Part Status: Active, Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 10 A, Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 µA @ 1200 V.
Інші пропозиції PCDH20120CCG1_T0_00601 за ціною від 550.43 грн до 1113.10 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
PCDH20120CCG1_T0_00601 | Виробник : Panjit |
![]() |
на замовлення 1498 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||
![]() |
PCDH20120CCG1_T0_00601 | Виробник : PanJit Semiconductor |
![]() Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 1.2kV; 10Ax2; TO247-3; 167.8W Type of diode: Schottky rectifying Technology: SiC Mounting: THT Max. off-state voltage: 1.2kV Load current: 10A x2 Semiconductor structure: common cathode; double Case: TO247-3 Max. load current: 52A Max. forward impulse current: 720A Leakage current: 0.1mA Kind of package: tube Power dissipation: 167.8W Max. forward voltage: 2V кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
|||||||||
![]() |
PCDH20120CCG1_T0_00601 | Виробник : PanJit Semiconductor |
![]() Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 1.2kV; 10Ax2; TO247-3; 167.8W Type of diode: Schottky rectifying Technology: SiC Mounting: THT Max. off-state voltage: 1.2kV Load current: 10A x2 Semiconductor structure: common cathode; double Case: TO247-3 Max. load current: 52A Max. forward impulse current: 720A Leakage current: 0.1mA Kind of package: tube Power dissipation: 167.8W Max. forward voltage: 2V |
товару немає в наявності |