PCDH20120CCG1_T0_00601

PCDH20120CCG1_T0_00601 Panjit International Inc.


PCDH20120CCG1.pdf Виробник: Panjit International Inc.
Description: DIODE ARR SIC 1200V 10A TO247AD
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 10A (DC)
Supplier Device Package: TO-247AD
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 µA @ 1200 V
на замовлення 1495 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+955.05 грн
10+810.21 грн
100+700.70 грн
500+595.93 грн
1000+546.61 грн
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис PCDH20120CCG1_T0_00601 Panjit International Inc.

Description: DIODE ARR SIC 1200V 10A TO247AD, Packaging: Tube, Package / Case: TO-247-3, Mounting Type: Through Hole, Speed: No Recovery Time > 500mA (Io), Reverse Recovery Time (trr): 0 ns, Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky, Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode, Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 10A (DC), Supplier Device Package: TO-247AD, Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C, Part Status: Active, Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 10 A, Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 µA @ 1200 V.

Інші пропозиції PCDH20120CCG1_T0_00601 за ціною від 550.43 грн до 1113.10 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
PCDH20120CCG1_T0_00601 PCDH20120CCG1_T0_00601 Виробник : Panjit PCDH20120CCG1-3006001.pdf SiC Schottky Diodes 1200V SiC Schottky Barrier Diode
на замовлення 1498 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+1113.10 грн
10+829.65 грн
60+550.43 грн
В кошику  од. на суму  грн.
PCDH20120CCG1_T0_00601 PCDH20120CCG1_T0_00601 Виробник : PanJit Semiconductor PCDH20120CCG1.pdf Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 1.2kV; 10Ax2; TO247-3; 167.8W
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 1.2kV
Load current: 10A x2
Semiconductor structure: common cathode; double
Case: TO247-3
Max. load current: 52A
Max. forward impulse current: 720A
Leakage current: 0.1mA
Kind of package: tube
Power dissipation: 167.8W
Max. forward voltage: 2V
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PCDH20120CCG1_T0_00601 PCDH20120CCG1_T0_00601 Виробник : PanJit Semiconductor PCDH20120CCG1.pdf Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 1.2kV; 10Ax2; TO247-3; 167.8W
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 1.2kV
Load current: 10A x2
Semiconductor structure: common cathode; double
Case: TO247-3
Max. load current: 52A
Max. forward impulse current: 720A
Leakage current: 0.1mA
Kind of package: tube
Power dissipation: 167.8W
Max. forward voltage: 2V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.