PCDH20120CCG1_T0_00601 Panjit International Inc.
Виробник: Panjit International Inc.
Description: DIODE ARR SIC 1200V 10A TO247AD
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 10A (DC)
Supplier Device Package: TO-247AD
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 µA @ 1200 V
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 925.99 грн |
| 10+ | 785.55 грн |
| 100+ | 679.37 грн |
| 500+ | 577.79 грн |
| 1000+ | 529.98 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис PCDH20120CCG1_T0_00601 Panjit International Inc.
Description: DIODE ARR SIC 1200V 10A TO247AD, Packaging: Tube, Package / Case: TO-247-3, Mounting Type: Through Hole, Speed: No Recovery Time > 500mA (Io), Reverse Recovery Time (trr): 0 ns, Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky, Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode, Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 10A (DC), Supplier Device Package: TO-247AD, Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C, Part Status: Active, Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 10 A, Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 µA @ 1200 V.
Інші пропозиції PCDH20120CCG1_T0_00601
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
 |
PCDH20120CCG1_T0_00601 | Panjit |
SiC Schottky Diodes 1200V SiC Schottky Barrier Diode |
на замовлення 1495 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
| PCDH20120CCG1_T0_00601 |
|
Виробник: Panjit
SiC Schottky Diodes 1200V SiC Schottky Barrier Diode
SiC Schottky Diodes 1200V SiC Schottky Barrier Diode
на замовлення 1495 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)