PCDH30120CCG1_T0_00601 Panjit
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 1382.42 грн |
| 10+ | 1252.29 грн |
| 30+ | 1044.06 грн |
| 60+ | 1009.54 грн |
| 120+ | 919.77 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис PCDH30120CCG1_T0_00601 Panjit
Description: 1200V SIC SCHOTTKY BARRIER DIODE, Packaging: Tube, Package / Case: TO-247-3, Mounting Type: Through Hole, Speed: No Recovery Time > 500mA (Io), Reverse Recovery Time (trr): 0 ns, Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky, Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode, Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 15A (DC), Supplier Device Package: TO-247AD, Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C, Part Status: Active, Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 15 A, Current - Reverse Leakage @ Vr: 140 µA @ 1200 V.
Інші пропозиції PCDH30120CCG1_T0_00601 за ціною від 894.46 грн до 1433.25 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
PCDH30120CCG1_T0_00601 | Виробник : Panjit International Inc. |
 Description: 1200V SIC SCHOTTKY BARRIER DIODEPackaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Speed: No Recovery Time > 500mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 0 ns Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 15A (DC) Supplier Device Package: TO-247AD Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 15 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 140 µA @ 1200 V |
на замовлення 1500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|