PCDP0465G1_T0_00001 Panjit International Inc.
Виробник: Panjit International Inc.Description: DIODE SIL CARB 650V 4A TO220AC
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 146pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 4A
Supplier Device Package: TO-220AC
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 4 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 40 µA @ 650 V
на замовлення 1996 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 190.32 грн |
| 10+ | 152.18 грн |
| 100+ | 121.09 грн |
| 500+ | 96.15 грн |
| 1000+ | 81.58 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис PCDP0465G1_T0_00001 Panjit International Inc.
Description: DIODE SIL CARB 650V 4A TO220AC, Packaging: Tube, Package / Case: TO-220-2, Mounting Type: Through Hole, Speed: No Recovery Time > 500mA (Io), Reverse Recovery Time (trr): 0 ns, Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky, Capacitance @ Vr, F: 146pF @ 1V, 1MHz, Current - Average Rectified (Io): 4A, Supplier Device Package: TO-220AC, Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C, Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 4 A, Current - Reverse Leakage @ Vr: 40 µA @ 650 V.
Інші пропозиції PCDP0465G1_T0_00001 за ціною від 99.47 грн до 247.70 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
PCDP0465G1_T0_00001 | Виробник : Panjit |
Schottky Diodes & Rectifiers 650V SiC Schottky Barrier Diode |
на замовлення 1410 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
| PCDP0465G1_T0_00001 | Виробник : PanJit Semiconductor |
PCDP0465G1-T0 THT Schottky diodes |
товару немає в наявності |