Продукція > PANJIT > PCDP0665GB_T0_00601

PCDP0665GB_T0_00601 Panjit


73E708FE5748B143E02FCBE7CC4217CD7B3B9BDC5D6BD4EC2FEE73A7C3D45F92.pdf
Виробник: Panjit
SiC Schottky Diodes 650V SiC Schottky Barrier Diode
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+231.26 грн
10+162.21 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Товар під замовлення
Немає на нашому складі — привозимо зі складу постачальника після оформлення замовлення.
термін постачання: 31-40 дні (днів)
Мінімальна партія: 2 шт
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис PCDP0665GB_T0_00601 Panjit

Description: DIODE SIL CARB 650V 6A TO220AC, Packaging: Tube, Package / Case: TO-220-2, Mounting Type: Through Hole, Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky, Capacitance @ Vr, F: 271pF @ 1V, 1MHz, Current - Average Rectified (Io): 6A, Supplier Device Package: TO-220AC, Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C, Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.6 V @ 6 A, Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 µA @ 650 V.

Інші пропозиції PCDP0665GB_T0_00601 за ціною від 129.66 грн до 387.58 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
PCDP0665GB_T0_00601 PCDP0665GB_T0_00601 Panjit International Inc. PCDP0665GB.pdf Description: DIODE SIL CARB 650V 6A TO220AC
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 271pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 6A
Supplier Device Package: TO-220AC
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.6 V @ 6 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 µA @ 650 V
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+387.58 грн
50+194.44 грн
100+177.17 грн
500+137.85 грн
1000+129.66 грн
В кошику  од. на суму  грн.
PCDP0665GB_T0_00601 PCDP0665GB.pdf
Виробник: Panjit International Inc.
Description: DIODE SIL CARB 650V 6A TO220AC
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 271pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 6A
Supplier Device Package: TO-220AC
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.6 V @ 6 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 µA @ 650 V
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+387.58 грн
50+194.44 грн
100+177.17 грн
500+137.85 грн
1000+129.66 грн
В кошику  од. на суму  грн.