PCDP0665GB_T0_00601 Panjit
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 354.86 грн |
| 10+ | 294.56 грн |
| 100+ | 206.51 грн |
| 250+ | 195.30 грн |
| 500+ | 183.30 грн |
| 1000+ | 156.88 грн |
| 2500+ | 148.08 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис PCDP0665GB_T0_00601 Panjit
Description: DIODE SIL CARB 650V 6A TO220AC, Packaging: Tube, Package / Case: TO-220-2, Mounting Type: Through Hole, Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky, Capacitance @ Vr, F: 271pF @ 1V, 1MHz, Current - Average Rectified (Io): 6A, Supplier Device Package: TO-220AC, Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C, Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.6 V @ 6 A, Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 µA @ 650 V.
Інші пропозиції PCDP0665GB_T0_00601 за ціною від 143.38 грн до 428.59 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
PCDP0665GB_T0_00601 | Виробник : Panjit International Inc. |
 Description: DIODE SIL CARB 650V 6A TO220ACPackaging: Tube Package / Case: TO-220-2 Mounting Type: Through Hole Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky Capacitance @ Vr, F: 271pF @ 1V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 6A Supplier Device Package: TO-220AC Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.6 V @ 6 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 µA @ 650 V |
на замовлення 2000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|