PCDP0865G1_T0_00001 Panjit International Inc.
Виробник: Panjit International Inc.Description: DIODE SIL CARB 650V 8A TO220AC
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 296pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 8A
Supplier Device Package: TO-220AC
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 8 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 60 µA @ 650 V
на замовлення 1995 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 336.22 грн |
| 50+ | 166.99 грн |
| 100+ | 151.83 грн |
| 500+ | 117.55 грн |
| 1000+ | 109.55 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис PCDP0865G1_T0_00001 Panjit International Inc.
Description: DIODE SIL CARB 650V 8A TO220AC, Packaging: Tube, Package / Case: TO-220-2, Mounting Type: Through Hole, Speed: No Recovery Time > 500mA (Io), Reverse Recovery Time (trr): 0 ns, Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky, Capacitance @ Vr, F: 296pF @ 1V, 1MHz, Current - Average Rectified (Io): 8A, Supplier Device Package: TO-220AC, Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C, Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 8 A, Current - Reverse Leakage @ Vr: 60 µA @ 650 V.
Інші пропозиції PCDP0865G1_T0_00001 за ціною від 113.02 грн до 354.60 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
PCDP0865G1_T0_00001 | Виробник : Panjit |
SiC Schottky Diodes 650V SiC Schottky Barrier Diode |
на замовлення 1334 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|