на замовлення 1534 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 316.88 грн |
| 10+ | 240.47 грн |
| 100+ | 168.92 грн |
| 500+ | 150.32 грн |
| 1000+ | 128.74 грн |
| 2000+ | 121.29 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис PCDP0865G1_T0_00001 Panjit
Description: DIODE SIL CARB 650V 8A TO220AC, Packaging: Tube, Package / Case: TO-220-2, Mounting Type: Through Hole, Speed: No Recovery Time > 500mA (Io), Reverse Recovery Time (trr): 0 ns, Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky, Capacitance @ Vr, F: 296pF @ 1V, 1MHz, Current - Average Rectified (Io): 8A, Supplier Device Package: TO-220AC, Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C, Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 8 A, Current - Reverse Leakage @ Vr: 60 µA @ 650 V.
Інші пропозиції PCDP0865G1_T0_00001 за ціною від 106.74 грн до 327.62 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
PCDP0865G1_T0_00001 | Виробник : Panjit International Inc. |
 Description: DIODE SIL CARB 650V 8A TO220ACPackaging: Tube Package / Case: TO-220-2 Mounting Type: Through Hole Speed: No Recovery Time > 500mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 0 ns Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky Capacitance @ Vr, F: 296pF @ 1V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 8A Supplier Device Package: TO-220AC Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 8 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 60 µA @ 650 V |
на замовлення 1995 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
| PCDP0865G1_T0_00001 | Виробник : PanJit Semiconductor |
PCDP0865G1-T0 THT Schottky diodes |
товару немає в наявності |