Продукція > PANJIT > PCDP0865GB_T0_00601
PCDP0865GB_T0_00601

PCDP0865GB_T0_00601 Panjit


PCDP0865GB-3161996.pdf Виробник: Panjit
SiC Schottky Diodes 650V SiC Schottky Barrier Diode
на замовлення 2000 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+434.36 грн
10+242.91 грн
100+194.51 грн
500+178.56 грн
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис PCDP0865GB_T0_00601 Panjit

Description: DIODE SIL CARB 650V 8A TO220AC, Packaging: Tube, Package / Case: TO-220-2, Mounting Type: Through Hole, Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky, Capacitance @ Vr, F: 372pF @ 1V, 1MHz, Current - Average Rectified (Io): 8A, Supplier Device Package: TO-220AC, Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C, Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.6 V @ 8 A, Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 µA @ 650 V.

Інші пропозиції PCDP0865GB_T0_00601 за ціною від 155.42 грн до 439.72 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
PCDP0865GB_T0_00601 PCDP0865GB_T0_00601 Виробник : Panjit International Inc. PCDP0865GB.pdf Description: DIODE SIL CARB 650V 8A TO220AC
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 372pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 8A
Supplier Device Package: TO-220AC
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.6 V @ 8 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 µA @ 650 V
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+439.72 грн
50+209.79 грн
100+199.02 грн
500+160.33 грн
1000+155.42 грн
В кошику  од. на суму  грн.