PCDP0865GB_T0_00601 Panjit International Inc.
Виробник: Panjit International Inc.
Description: DIODE SIL CARB 650V 8A TO220AC
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 372pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 8A
Supplier Device Package: TO-220AC
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.6 V @ 8 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 µA @ 650 V
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 312.98 грн |
| 50+ | 175.61 грн |
| 100+ | 172.38 грн |
| 500+ | 140.79 грн |
| 1000+ | 137.55 грн |
| 2000+ | 64.15 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис PCDP0865GB_T0_00601 Panjit International Inc.
Description: DIODE SIL CARB 650V 8A TO220AC, Packaging: Tube, Package / Case: TO-220-2, Mounting Type: Through Hole, Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky, Capacitance @ Vr, F: 372pF @ 1V, 1MHz, Current - Average Rectified (Io): 8A, Supplier Device Package: TO-220AC, Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C, Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.6 V @ 8 A, Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 µA @ 650 V.
Інші пропозиції PCDP0865GB_T0_00601 за ціною від 161.54 грн до 325.38 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
PCDP0865GB_T0_00601 | Panjit |
SiC Schottky Diodes 650V SiC Schottky Barrier Diode |
на замовлення 2000 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
| PCDP0865GB_T0_00601 |
|
Виробник: Panjit
SiC Schottky Diodes 650V SiC Schottky Barrier Diode
SiC Schottky Diodes 650V SiC Schottky Barrier Diode
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 325.38 грн |
| 10+ | 188.15 грн |
| 100+ | 161.54 грн |