PCDP0865GC_T0_00601 Panjit
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 302.12 грн |
| 10+ | 251.27 грн |
| 100+ | 175.83 грн |
| 250+ | 166.26 грн |
| 500+ | 155.96 грн |
| 1000+ | 133.16 грн |
| 2500+ | 126.54 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис PCDP0865GC_T0_00601 Panjit
Description: DIODE SIL CARB 650V 8A TO220AC, Packaging: Tube, Package / Case: TO-220-2, Mounting Type: Through Hole, Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky, Capacitance @ Vr, F: 260pF @ 1V, 1MHz, Current - Average Rectified (Io): 8A, Supplier Device Package: TO-220AC, Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C, Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 8 A, Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 µA @ 650 V.
Інші пропозиції PCDP0865GC_T0_00601 за ціною від 121.36 грн до 370.05 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
PCDP0865GC_T0_00601 | Виробник : Panjit International Inc. |
 Description: DIODE SIL CARB 650V 8A TO220ACPackaging: Tube Package / Case: TO-220-2 Mounting Type: Through Hole Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky Capacitance @ Vr, F: 260pF @ 1V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 8A Supplier Device Package: TO-220AC Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 8 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 µA @ 650 V |
на замовлення 2000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
PCDP0865GC-T0-00601 | Виробник : Panjit |
Schottky Diodes & Rectifiers TO-220AC/SIC/TO/650SIC-SBD |
товару немає в наявності |