на замовлення 1957 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 415.54 грн |
| 10+ | 315.01 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис PCDP10120G1_T0_00001 Panjit
Description: DIODE SIL CARB 1.2KV 10A TO220AC, Packaging: Tube, Package / Case: TO-220-2, Mounting Type: Through Hole, Speed: No Recovery Time > 500mA (Io), Reverse Recovery Time (trr): 0 ns, Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky, Capacitance @ Vr, F: 529pF @ 1V, 1MHz, Current - Average Rectified (Io): 10A, Supplier Device Package: TO-220AC, Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C, Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 10 A, Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 µA @ 1200 V.
Інші пропозиції PCDP10120G1_T0_00001 за ціною від 278.63 грн до 543.64 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
PCDP10120G1_T0_00001 | Виробник : Panjit International Inc. |
 Description: DIODE SIL CARB 1.2KV 10A TO220ACPackaging: Tube Package / Case: TO-220-2 Mounting Type: Through Hole Speed: No Recovery Time > 500mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 0 ns Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky Capacitance @ Vr, F: 529pF @ 1V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 10A Supplier Device Package: TO-220AC Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 10 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 µA @ 1200 V |
на замовлення 1984 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
| PCDP10120G1_T0_00001 | Виробник : PanJit Semiconductor |
PCDP10120G1-T0 THT Schottky diodes |
товару немає в наявності |