PCDP10120G1_T0_00001 Panjit International Inc.
Виробник: Panjit International Inc.Description: DIODE SIL CARB 1200V 10A TO220AC
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 529pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 10A
Supplier Device Package: TO-220AC
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 µA @ 1200 V
на замовлення 1968 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 473.42 грн |
| 50+ | 250.55 грн |
| 100+ | 240.96 грн |
| 500+ | 174.14 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис PCDP10120G1_T0_00001 Panjit International Inc.
Description: DIODE SIL CARB 1200V 10A TO220AC, Packaging: Tube, Package / Case: TO-220-2, Mounting Type: Through Hole, Speed: No Recovery Time > 500mA (Io), Reverse Recovery Time (trr): 0 ns, Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky, Capacitance @ Vr, F: 529pF @ 1V, 1MHz, Current - Average Rectified (Io): 10A, Supplier Device Package: TO-220AC, Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C, Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 10 A, Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 µA @ 1200 V.
Інші пропозиції PCDP10120G1_T0_00001 за ціною від 254.54 грн до 484.89 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
PCDP10120G1_T0_00001 | Виробник : Panjit |
SiC Schottky Diodes 1200V SiC Schottky Barrier Diode |
на замовлення 1949 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||
 |
PCDP10120G1_T0_00001 | Виробник : PanJit Semiconductor |
Category: THT Schottky diodes Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 1.2kV; 10A; TO220AC; Ufmax: 2V Type of diode: Schottky rectifying Technology: SiC Mounting: THT Max. off-state voltage: 1.2kV Load current: 10A Semiconductor structure: single diode Case: TO220AC Max. forward voltage: 2V Max. load current: 76A Max. forward impulse current: 0.64kA Leakage current: 0.1mA Power dissipation: 151.5W Kind of package: tube кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
|||||||||||
|
|
PCDP10120G1_T0_00001 | Виробник : PanJit Semiconductor |
Category: THT Schottky diodes Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 1.2kV; 10A; TO220AC; Ufmax: 2V Type of diode: Schottky rectifying Technology: SiC Mounting: THT Max. off-state voltage: 1.2kV Load current: 10A Semiconductor structure: single diode Case: TO220AC Max. forward voltage: 2V Max. load current: 76A Max. forward impulse current: 0.64kA Leakage current: 0.1mA Power dissipation: 151.5W Kind of package: tube |
товару немає в наявності |