PCDP1065G1_T0_00001 Panjit
на замовлення 1990 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2+ | 231.33 грн |
| 10+ | 189.64 грн |
| 100+ | 131.52 грн |
| 1000+ | 122.17 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис PCDP1065G1_T0_00001 Panjit
Description: DIODE SIL CARB 650V 10A TO220AC, Packaging: Tube, Package / Case: TO-220-2, Mounting Type: Through Hole, Speed: No Recovery Time > 500mA (Io), Reverse Recovery Time (trr): 0 ns, Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky, Capacitance @ Vr, F: 364pF @ 1V, 1MHz, Current - Average Rectified (Io): 10A, Supplier Device Package: TO-220AC, Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C, Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 10 A, Current - Reverse Leakage @ Vr: 70 µA @ 650 V.
Інші пропозиції PCDP1065G1_T0_00001 за ціною від 128.52 грн до 275.15 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
PCDP1065G1_T0_00001 | Виробник : Panjit International Inc. |
 Description: DIODE SIL CARB 650V 10A TO220ACPackaging: Tube Package / Case: TO-220-2 Mounting Type: Through Hole Speed: No Recovery Time > 500mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 0 ns Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky Capacitance @ Vr, F: 364pF @ 1V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 10A Supplier Device Package: TO-220AC Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 10 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 70 µA @ 650 V |
на замовлення 1478 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
PCDP1065G1_T0_00001 | Виробник : PanJit Semiconductor |
Category: THT Schottky diodes Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 10A; 83.3W; TO220AC Power dissipation: 83.3W Kind of package: tube Type of diode: Schottky rectifying Technology: SiC Mounting: THT Case: TO220AC Max. off-state voltage: 650V Max. load current: 44A Max. forward voltage: 1.8V Load current: 10A Semiconductor structure: single diode Max. forward impulse current: 0.55kA Leakage current: 70µA кількість в упаковці: 1 шт |
товар відсутній |
|||||||||||||
|
|
PCDP1065G1-T0-00001 | Виробник : Panjit |
Schottky Diodes & Rectifiers TO-220AC/SIC/TO/SIC-100WH |
товар відсутній |
|||||||||||||
|
|
PCDP1065G1_T0_00001 | Виробник : PanJit Semiconductor |
Category: THT Schottky diodes Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 10A; 83.3W; TO220AC Power dissipation: 83.3W Kind of package: tube Type of diode: Schottky rectifying Technology: SiC Mounting: THT Case: TO220AC Max. off-state voltage: 650V Max. load current: 44A Max. forward voltage: 1.8V Load current: 10A Semiconductor structure: single diode Max. forward impulse current: 0.55kA Leakage current: 70µA |
товар відсутній |