PCDP1065G1_T0_00001 Panjit International Inc.
Виробник: Panjit International Inc.Description: DIODE SIL CARB 650V 10A TO220AC
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 364pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 10A
Supplier Device Package: TO-220AC
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 70 µA @ 650 V
на замовлення 1478 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 292.24 грн |
| 50+ | 164.16 грн |
| 100+ | 157.89 грн |
| 500+ | 125.26 грн |
| 1000+ | 117.91 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис PCDP1065G1_T0_00001 Panjit International Inc.
Description: DIODE SIL CARB 650V 10A TO220AC, Packaging: Tube, Package / Case: TO-220-2, Mounting Type: Through Hole, Speed: No Recovery Time > 500mA (Io), Reverse Recovery Time (trr): 0 ns, Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky, Capacitance @ Vr, F: 364pF @ 1V, 1MHz, Current - Average Rectified (Io): 10A, Supplier Device Package: TO-220AC, Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C, Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 10 A, Current - Reverse Leakage @ Vr: 70 µA @ 650 V.
Інші пропозиції PCDP1065G1_T0_00001 за ціною від 131.98 грн до 400.33 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
PCDP1065G1_T0_00001 | Виробник : Panjit |
SiC Schottky Diodes 650V SiC Schottky Barrier Diode |
на замовлення 1990 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
PCDP1065G1-T0-00001 | Виробник : Panjit |
Schottky Diodes & Rectifiers TO-220AC/SIC/TO/SIC-100WH |
товару немає в наявності |