PCDP1065GC_T0_00601 Panjit International Inc.
Виробник: Panjit International Inc.Description: DIODE SIL CARB 650V 10A TO220AC
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 271pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 10A
Supplier Device Package: TO-220AC
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 µA @ 650 V
на замовлення 1961 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 429.57 грн |
| 50+ | 218.62 грн |
| 100+ | 199.82 грн |
| 500+ | 156.64 грн |
| 1000+ | 151.91 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис PCDP1065GC_T0_00601 Panjit International Inc.
Description: DIODE SIL CARB 650V 10A TO220AC, Packaging: Tube, Package / Case: TO-220-2, Mounting Type: Through Hole, Speed: No Recovery Time > 500mA (Io), Reverse Recovery Time (trr): 0 ns, Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky, Capacitance @ Vr, F: 271pF @ 1V, 1MHz, Current - Average Rectified (Io): 10A, Supplier Device Package: TO-220AC, Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C, Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 10 A, Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 µA @ 650 V.
Інші пропозиції PCDP1065GC_T0_00601
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
|---|---|---|---|---|---|
 |
PCDP1065GC_T0_00601 | Виробник : Panjit |
SiC Schottky Diodes 650V SiC Schottky Barrier Diode |
товару немає в наявності |
|
|
|
PCDP1065GC-T0-00601 | Виробник : Panjit |
Schottky Diodes & Rectifiers TO-220AC/SIC/TO/650SIC-SBD |
товару немає в наявності |