на замовлення 1994 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 305.60 грн |
| 10+ | 173.01 грн |
| 500+ | 149.68 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис PCDP1265G1_T0_00001 Panjit
Description: DIODE SIL CARB 650V 12A TO220AC, Packaging: Tube, Package / Case: TO-220-2, Mounting Type: Through Hole, Speed: No Recovery Time > 500mA (Io), Reverse Recovery Time (trr): 0 ns, Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky, Capacitance @ Vr, F: 452pF @ 1V, 1MHz, Current - Average Rectified (Io): 12A, Supplier Device Package: TO-220AC, Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C, Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 12 A, Current - Reverse Leakage @ Vr: 80 µA @ 650 V.
Інші пропозиції PCDP1265G1_T0_00001 за ціною від 156.60 грн до 356.04 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
PCDP1265G1_T0_00001 | Виробник : Panjit International Inc. |
 Description: DIODE SIL CARB 650V 12A TO220ACPackaging: Tube Package / Case: TO-220-2 Mounting Type: Through Hole Speed: No Recovery Time > 500mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 0 ns Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky Capacitance @ Vr, F: 452pF @ 1V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 12A Supplier Device Package: TO-220AC Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 12 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 80 µA @ 650 V |
на замовлення 2000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|