PCDP1265G1_T0_00001 Panjit International Inc.
Виробник: Panjit International Inc.Description: DIODE SIL CARB 650V 12A TO220AC
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 452pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 12A
Supplier Device Package: TO-220AC
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 12 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 80 µA @ 650 V
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 342.17 грн |
| 10+ | 276.59 грн |
| 100+ | 223.77 грн |
| 500+ | 186.67 грн |
| 1000+ | 159.83 грн |
| 2000+ | 150.50 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис PCDP1265G1_T0_00001 Panjit International Inc.
Description: DIODE SIL CARB 650V 12A TO220AC, Packaging: Tube, Package / Case: TO-220-2, Mounting Type: Through Hole, Speed: No Recovery Time > 500mA (Io), Reverse Recovery Time (trr): 0 ns, Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky, Capacitance @ Vr, F: 452pF @ 1V, 1MHz, Current - Average Rectified (Io): 12A, Supplier Device Package: TO-220AC, Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C, Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 12 A, Current - Reverse Leakage @ Vr: 80 µA @ 650 V.
Інші пропозиції PCDP1265G1_T0_00001 за ціною від 156.32 грн до 375.03 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
PCDP1265G1_T0_00001 | Виробник : Panjit |
Schottky Diodes & Rectifiers 650V SiC Schottky Barrier Diode |
на замовлення 1994 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
| PCDP1265G1_T0_00001 | Виробник : PanJit Semiconductor |
PCDP1265G1-T0 THT Schottky diodes |
товару немає в наявності |