PCDP1665G1_T0_00001 Panjit International Inc.
Виробник: Panjit International Inc.
Description: DIODE SIL CARB 650V 16A TO220AC
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-2
Packaging: Tube
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 µA @ 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 16 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Supplier Device Package: TO-220AC
Current - Average Rectified (Io): 16A
Capacitance @ Vr, F: 618pF @ 1V, 1MHz
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 418.61 грн |
| 50+ | 319.24 грн |
| 100+ | 273.63 грн |
| 500+ | 228.26 грн |
| 1000+ | 195.45 грн |
| 2000+ | 184.04 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис PCDP1665G1_T0_00001 Panjit International Inc.
Description: DIODE SIL CARB 650V 16A TO220AC, Reverse Recovery Time (trr): 0 ns, Speed: No Recovery Time > 500mA (Io), Mounting Type: Through Hole, Package / Case: TO-220-2, Packaging: Tube, Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 µA @ 650 V, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 16 A, Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V, Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C, Supplier Device Package: TO-220AC, Current - Average Rectified (Io): 16A, Capacitance @ Vr, F: 618pF @ 1V, 1MHz, Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky.
Інші пропозиції PCDP1665G1_T0_00001
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
 |
PCDP1665G1_T0_00001 | Panjit |
SiC Schottky Diodes 650V SiC Schottky Barrier Diode |
на замовлення 1824 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
| PCDP1665G1_T0_00001 |
|
Виробник: Panjit
SiC Schottky Diodes 650V SiC Schottky Barrier Diode
SiC Schottky Diodes 650V SiC Schottky Barrier Diode
на замовлення 1824 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)