Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис PCDP1665G1_T0_00001 Panjit
Description: DIODE SIL CARB 650V 16A TO220AC, Reverse Recovery Time (trr): 0 ns, Speed: No Recovery Time > 500mA (Io), Mounting Type: Through Hole, Package / Case: TO-220-2, Packaging: Tube, Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 µA @ 650 V, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 16 A, Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V, Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C, Supplier Device Package: TO-220AC, Current - Average Rectified (Io): 16A, Capacitance @ Vr, F: 618pF @ 1V, 1MHz, Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky.
Інші пропозиції PCDP1665G1_T0_00001 за ціною від 185.39 грн до 421.68 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
PCDP1665G1_T0_00001 | Виробник : Panjit International Inc. |
 Description: DIODE SIL CARB 650V 16A TO220ACReverse Recovery Time (trr): 0 ns Speed: No Recovery Time > 500mA (Io) Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-220-2 Packaging: Tube Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 µA @ 650 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 16 A Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C Supplier Device Package: TO-220AC Current - Average Rectified (Io): 16A Capacitance @ Vr, F: 618pF @ 1V, 1MHz Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky |
на замовлення 4000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|