Продукція > ONSEMI > PCFFS30120AF

PCFFS30120AF onsemi


pcffs30120af-d.pdf Виробник: onsemi
Description: DIODE SIL CARB 1.2KV WAFER DIE
Packaging: Tray
Package / Case: Die
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 1740pF @ 1V, 100kHz
Current - Average Rectified (Io): 46A
Supplier Device Package: Die
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.75 V @ 30 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 200 µA @ 1200 V
на замовлення 1892 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+1043.17 грн
10+735.82 грн
25+663.03 грн
80+570.14 грн
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис PCFFS30120AF onsemi

Description: DIODE SIL CARB 1.2KV WAFER DIE, Packaging: Tray, Package / Case: Die, Mounting Type: Surface Mount, Speed: No Recovery Time > 500mA (Io), Reverse Recovery Time (trr): 0 ns, Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky, Capacitance @ Vr, F: 1740pF @ 1V, 100kHz, Current - Average Rectified (Io): 46A, Supplier Device Package: Die, Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C, Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.75 V @ 30 A, Current - Reverse Leakage @ Vr: 200 µA @ 1200 V.

Інші пропозиції PCFFS30120AF

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
PCFFS30120AF Виробник : ON Semiconductor ffs30120af-die-d.pdf Silicon Carbide Schottky Diode
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.