| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 1570.59 грн |
| 10+ | 1423.32 грн |
| 25+ | 1186.22 грн |
| 50+ | 1147.46 грн |
| 100+ | 1045.26 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис PCFFS40120AF onsemi
Description: DIODE SIL CARB 1.2KV WAFER DIE, Packaging: Tray, Package / Case: Die, Mounting Type: Surface Mount, Speed: No Recovery Time > 500mA (Io), Reverse Recovery Time (trr): 0 ns, Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky, Capacitance @ Vr, F: 2250pf @ 1V, 100kHz, Current - Average Rectified (Io): 61A, Supplier Device Package: Die, Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C, Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.75 V @ 40 A, Current - Reverse Leakage @ Vr: 200 µA @ 1200 V.
Інші пропозиції PCFFS40120AF за ціною від 703.98 грн до 703.98 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна |
||
|---|---|---|---|---|---|---|---|
| PCFFS40120AF | onsemi |
 Description: DIODE SIL CARB 1.2KV WAFER DIEPackaging: Tray Package / Case: Die Mounting Type: Surface Mount Speed: No Recovery Time > 500mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 0 ns Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky Capacitance @ Vr, F: 2250pf @ 1V, 100kHz Current - Average Rectified (Io): 61A Supplier Device Package: Die Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.75 V @ 40 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 200 µA @ 1200 V |
на замовлення 629 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||
| PCFFS40120AF | ONN |
|
на замовлення 751 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
| PCFFS40120AF |
|
Виробник: onsemi
Description: DIODE SIL CARB 1.2KV WAFER DIE
Packaging: Tray
Package / Case: Die
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 2250pf @ 1V, 100kHz
Current - Average Rectified (Io): 61A
Supplier Device Package: Die
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.75 V @ 40 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 200 µA @ 1200 V
Description: DIODE SIL CARB 1.2KV WAFER DIE
Packaging: Tray
Package / Case: Die
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 2250pf @ 1V, 100kHz
Current - Average Rectified (Io): 61A
Supplier Device Package: Die
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.75 V @ 40 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 200 µA @ 1200 V
на замовлення 629 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 629+ | 703.98 грн |
| PCFFS40120AF |
|
Виробник: ONN
на замовлення 751 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)