Продукція > Транзистори > Польові N-канальні > PD20010-E

PD20010-E

radio-frequency-transistors.html
Код товару: 89276
Додати до обраних Обраний товар

Виробник:
Транзистори > Польові N-канальні

товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Інші пропозиції PD20010-E

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
PD20010-E STM radio-frequency-transistors.html TRANS RF N-CH FET POWERSO-10RF Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PD20010-E PD20010-E STMicroelectronics radio-frequency-transistors.html Description: TRANS RF N-CH FET POWERSO-10RF
Packaging: Tube
Package / Case: PowerSO-10RF Exposed Bottom Pad (2 Formed Leads)
Current Rating (Amps): 5A
Frequency: 2GHz
Power - Output: 10W
Gain: 11dB
Technology: LDMOS
Supplier Device Package: PowerSO-10RF (Formed Lead)
Part Status: Obsolete
Voltage - Rated: 40 V
Voltage - Test: 13.6 V
Current - Test: 150 mA
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PD20010-E PD20010-E STMicroelectronics cd00228754-1796777.pdf RF MOSFET Transistors POWER R.F.
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PD20010-E PD20010-E STMICROELECTRONICS 2371922.pdf Description: STMICROELECTRONICS - PD20010-E - HF-FET-Transistor, 40 V, 5 A, 59 W, 2 GHz, PowerSO-10RF
Drain-Source-Spannung Vds: 40
Dauer-Drainstrom Id: 5
Verlustleistung Pd: 59
Betriebsfrequenz, max.: 2
Betriebsfrequenz, min.: -
Bauform - HF-Transistor: PowerSO-10RF
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Betriebstemperatur, max.: 165
SVHC: No SVHC (07-Jul-2017)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PD20010-E STMicroelectronics radio-frequency-transistors.html Trans RF FET N-CH 40V 5A 3-Pin PowerSO-10RF (Formed lead) Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 400 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PD20010-E radio-frequency-transistors.html
Виробник: STM
TRANS RF N-CH FET POWERSO-10RF Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PD20010-E radio-frequency-transistors.html
PD20010-E
Виробник: STMicroelectronics
Description: TRANS RF N-CH FET POWERSO-10RF
Packaging: Tube
Package / Case: PowerSO-10RF Exposed Bottom Pad (2 Formed Leads)
Current Rating (Amps): 5A
Frequency: 2GHz
Power - Output: 10W
Gain: 11dB
Technology: LDMOS
Supplier Device Package: PowerSO-10RF (Formed Lead)
Part Status: Obsolete
Voltage - Rated: 40 V
Voltage - Test: 13.6 V
Current - Test: 150 mA
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PD20010-E cd00228754-1796777.pdf
PD20010-E
Виробник: STMicroelectronics
RF MOSFET Transistors POWER R.F.
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PD20010-E 2371922.pdf
PD20010-E
Виробник: STMICROELECTRONICS
Description: STMICROELECTRONICS - PD20010-E - HF-FET-Transistor, 40 V, 5 A, 59 W, 2 GHz, PowerSO-10RF
Drain-Source-Spannung Vds: 40
Dauer-Drainstrom Id: 5
Verlustleistung Pd: 59
Betriebsfrequenz, max.: 2
Betriebsfrequenz, min.: -
Bauform - HF-Transistor: PowerSO-10RF
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Betriebstemperatur, max.: 165
SVHC: No SVHC (07-Jul-2017)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PD20010-E radio-frequency-transistors.html
Виробник: STMicroelectronics
Trans RF FET N-CH 40V 5A 3-Pin PowerSO-10RF (Formed lead) Tube
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 400 шт
В кошику  од. на суму  грн.