Інші пропозиції PD20010-E
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
| PD20010-E | STM |
TRANS RF N-CH FET POWERSO-10RF Транзистори |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |
|
PD20010-E | STMicroelectronics |
Description: TRANS RF N-CH FET POWERSO-10RFPackaging: Tube Package / Case: PowerSO-10RF Exposed Bottom Pad (2 Formed Leads) Current Rating (Amps): 5A Frequency: 2GHz Power - Output: 10W Gain: 11dB Technology: LDMOS Supplier Device Package: PowerSO-10RF (Formed Lead) Part Status: Obsolete Voltage - Rated: 40 V Voltage - Test: 13.6 V Current - Test: 150 mA |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. |
|
PD20010-E | STMicroelectronics |
RF MOSFET Transistors POWER R.F. |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. |
| PD20010-E |
![]() |
Виробник: STM
TRANS RF N-CH FET POWERSO-10RF Транзистори
TRANS RF N-CH FET POWERSO-10RF Транзистори
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| PD20010-E |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
Description: TRANS RF N-CH FET POWERSO-10RF
Packaging: Tube
Package / Case: PowerSO-10RF Exposed Bottom Pad (2 Formed Leads)
Current Rating (Amps): 5A
Frequency: 2GHz
Power - Output: 10W
Gain: 11dB
Technology: LDMOS
Supplier Device Package: PowerSO-10RF (Formed Lead)
Part Status: Obsolete
Voltage - Rated: 40 V
Voltage - Test: 13.6 V
Current - Test: 150 mA
Description: TRANS RF N-CH FET POWERSO-10RF
Packaging: Tube
Package / Case: PowerSO-10RF Exposed Bottom Pad (2 Formed Leads)
Current Rating (Amps): 5A
Frequency: 2GHz
Power - Output: 10W
Gain: 11dB
Technology: LDMOS
Supplier Device Package: PowerSO-10RF (Formed Lead)
Part Status: Obsolete
Voltage - Rated: 40 V
Voltage - Test: 13.6 V
Current - Test: 150 mA
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| PD20010-E |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
RF MOSFET Transistors POWER R.F.
RF MOSFET Transistors POWER R.F.
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.




