Продукція > Транзистори > Польові N-канальні > PD20010TR-E
PD20010TR-E

PD20010TR-E

radio-frequency-transistors.html
Код товару: 121355
Виробник:
Транзистори > Польові N-канальні

товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Інші пропозиції PD20010TR-E

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
PD20010TR-E PD20010TR-E Виробник : STMicroelectronics radio-frequency-transistors.html Description: RF MOSFET LDMOS 13.6V PWRSO-10RF
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerSO-10RF Exposed Bottom Pad (2 Formed Leads)
Current Rating (Amps): 5A
Frequency: 2GHz
Power - Output: 10W
Gain: 11dB
Technology: LDMOS
Supplier Device Package: PowerSO-10RF (Formed Lead)
Voltage - Rated: 40 V
Voltage - Test: 13.6 V
Current - Test: 150 mA
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PD20010TR-E PD20010TR-E Виробник : STMicroelectronics radio-frequency-transistors.html Description: RF MOSFET LDMOS 13.6V PWRSO-10RF
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerSO-10RF Exposed Bottom Pad (2 Formed Leads)
Current Rating (Amps): 5A
Frequency: 2GHz
Power - Output: 10W
Gain: 11dB
Technology: LDMOS
Supplier Device Package: PowerSO-10RF (Formed Lead)
Voltage - Rated: 40 V
Voltage - Test: 13.6 V
Current - Test: 150 mA
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PD20010TR-E PD20010TR-E Виробник : STMicroelectronics cd00228754-1796777.pdf RF MOSFET Transistors RF power tran LdmoST N-chann
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.