PD54003-E

PD54003-E STMicroelectronics


126en.pd54003-e.pdf Виробник: STMicroelectronics
Trans RF MOSFET N-CH 25V 4A 3-Pin PowerSO-10RF (Formed lead) Tube
на замовлення 400 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
50+505.51 грн
400+504.92 грн
Мінімальне замовлення: 50
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис PD54003-E STMicroelectronics

Category: SMD N channel transistors, Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 25V; 4A; 25.8W; PowerSO10RF, Type of transistor: N-MOSFET, Polarisation: unipolar, Drain-source voltage: 25V, Drain current: 4A, Power dissipation: 25.8W, Case: PowerSO10RF, Gate-source voltage: ±20V, Mounting: SMD, Kind of package: tube, Kind of channel: enhancement.

Інші пропозиції PD54003-E за ціною від 422.02 грн до 920.25 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
PD54003-E PD54003-E Виробник : STMicroelectronics 126en.pd54003-e.pdf Trans RF FET N-CH 25V 4A 3-Pin PowerSO-10RF (Formed lead) Tube
на замовлення 100 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
50+512.05 грн
Мінімальне замовлення: 50
В кошику  од. на суму  грн.
PD54003-E PD54003-E Виробник : STMicroelectronics 126en.pd54003-e.pdf Trans RF MOSFET N-CH 25V 4A 3-Pin PowerSO-10RF (Formed lead) Tube
на замовлення 400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
50+548.00 грн
400+547.35 грн
Мінімальне замовлення: 50
В кошику  од. на суму  грн.
PD54003-E PD54003-E Виробник : STMicroelectronics en.CD00100209.pdf RF MOSFET Transistors RF POWER transistor LDMOST family N-Chan
на замовлення 115 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+920.25 грн
10+528.56 грн
100+431.22 грн
1200+422.02 грн
В кошику  од. на суму  грн.
PD54003-E en.CD00100209.pdf
на замовлення 800 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
PD54003-E PD54003-E Виробник : STMicroelectronics 126en.pd54003-e.pdf Trans RF MOSFET N-CH 25V 4A 3-Pin PowerSO-10RF (Formed lead) Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PD54003-E Виробник : STMicroelectronics 126en.pd54003-e.pdf Trans RF FET N-CH 25V 4A 3-Pin PowerSO-10RF (Formed lead) Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PD54003-E PD54003-E Виробник : STMicroelectronics en.CD00100209.pdf Description: RF MOSFET LDMOS 7.5V POWERSO10
Packaging: Tube
Package / Case: PowerSO-10 Exposed Bottom Pad
Current Rating (Amps): 4A
Frequency: 500MHz
Power - Output: 3W
Gain: 12dB
Technology: LDMOS
Supplier Device Package: 10-PowerSO
Voltage - Rated: 25 V
Voltage - Test: 7.5 V
Current - Test: 50 mA
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PD54003-E Виробник : STMicroelectronics en.CD00100209.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 25V; 4A; 25.8W; PowerSO10RF
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 25V
Drain current: 4A
Power dissipation: 25.8W
Case: PowerSO10RF
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: SMD
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.