PD55003-E STMicroelectronics
на замовлення 550 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 18+ | 699.83 грн |
| 22+ | 570.11 грн |
| 100+ | 541.29 грн |
| 400+ | 521.49 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис PD55003-E STMicroelectronics
Category: SMD N channel transistors, Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; RF; 40V; 2.5A; 31.7W; PowerSO10RF, Electrical mounting: SMT, Polarisation: unipolar, Kind of package: tube, Kind of channel: enhancement, Type of transistor: N-MOSFET, Kind of transistor: RF, Drain current: 2.5A, Output power: 3W, Open-loop gain: 17dB, Gate-source voltage: ±20V, Power dissipation: 31.7W, Drain-source voltage: 40V, Efficiency: 52%, Frequency: 500MHz, Case: PowerSO10RF, кількість в упаковці: 1 шт.
Інші пропозиції PD55003-E за ціною від 450.23 грн до 908.61 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
PD55003-E | Виробник : STMicroelectronics |
 Trans RF MOSFET N-CH 40V 2.5A 3-Pin PowerSO-10RF (Formed lead) Tube |
на замовлення 550 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
PD55003-E | Виробник : STMicroelectronics |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; RF; 40V; 2.5A; 31.7W; PowerSO10RF Electrical mounting: SMT Polarisation: unipolar Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Type of transistor: N-MOSFET Kind of transistor: RF Drain current: 2.5A Output power: 3W Open-loop gain: 17dB Gate-source voltage: ±20V Power dissipation: 31.7W Drain-source voltage: 40V Efficiency: 52% Frequency: 500MHz Case: PowerSO10RF |
на замовлення 20 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
PD55003-E | Виробник : STMicroelectronics |
RF MOSFET Transistors RF POWER TRANS |
на замовлення 6634 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
PD55003-E | Виробник : STMicroelectronics |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; RF; 40V; 2.5A; 31.7W; PowerSO10RF Electrical mounting: SMT Polarisation: unipolar Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Type of transistor: N-MOSFET Kind of transistor: RF Drain current: 2.5A Output power: 3W Open-loop gain: 17dB Gate-source voltage: ±20V Power dissipation: 31.7W Drain-source voltage: 40V Efficiency: 52% Frequency: 500MHz Case: PowerSO10RF кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 20 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
PD55003-E Код товару: 175999
Додати до обраних
Обраний товар
|
Транзистори > Польові N-канальні |
товару немає в наявності
|
|||||||||||||||
|
|
PD55003-E | Виробник : STMicroelectronics |
Trans RF MOSFET N-CH 40V 2.5A 3-Pin PowerSO-10RF (Formed lead) Tube |
товару немає в наявності |
|||||||||||||
 |
PD55003-E | Виробник : STMicroelectronics |
Trans RF FET N-CH 40V 2.5A 3-Pin PowerSO-10RF (Formed lead) Tube |
товару немає в наявності |
|||||||||||||
 |
PD55003-E | Виробник : STMicroelectronics |
Description: RF MOSFET LDMOS 12.5V POWERSO10 Packaging: Tube Package / Case: PowerSO-10 Exposed Bottom Pad Current Rating (Amps): 2.5A Frequency: 500MHz Power - Output: 3W Gain: 17dB Technology: LDMOS Supplier Device Package: 10-PowerSO Part Status: Active Voltage - Rated: 40 V Voltage - Test: 12.5 V Current - Test: 50 mA |
товару немає в наявності |