PD55003-E STMicroelectronics
Виробник: STMicroelectronicsCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; RF; 40V; 2.5A; 31.7W; PowerSO10RF
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 2.5A
Power dissipation: 31.7W
Case: PowerSO10RF
Gate-source voltage: ±20V
Kind of channel: enhancement
Output power: 3W
Open-loop gain: 17dB
Efficiency: 52%
Kind of package: tube
Frequency: 500MHz
Electrical mounting: SMT
Kind of transistor: RF
на замовлення 23 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 758.46 грн |
| 2+ | 630.86 грн |
| 5+ | 596.12 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис PD55003-E STMicroelectronics
Category: SMD N channel transistors, Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; RF; 40V; 2.5A; 31.7W; PowerSO10RF, Type of transistor: N-MOSFET, Polarisation: unipolar, Drain-source voltage: 40V, Drain current: 2.5A, Power dissipation: 31.7W, Case: PowerSO10RF, Gate-source voltage: ±20V, Kind of channel: enhancement, Output power: 3W, Open-loop gain: 17dB, Efficiency: 52%, Kind of package: tube, Frequency: 500MHz, Electrical mounting: SMT, Kind of transistor: RF, кількість в упаковці: 1 шт.
Інші пропозиції PD55003-E за ціною від 451.00 грн до 910.15 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
PD55003-E | Виробник : STMicroelectronics |
Trans RF MOSFET N-CH 40V 2.5A 3-Pin PowerSO-10RF (Formed lead) Tube |
на замовлення 550 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
PD55003-E | Виробник : STMicroelectronics |
Trans RF MOSFET N-CH 40V 2.5A 3-Pin PowerSO-10RF (Formed lead) Tube |
на замовлення 550 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
PD55003-E | Виробник : STMicroelectronics |
RF MOSFET Transistors RF POWER TRANS |
на замовлення 6664 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
PD55003-E | Виробник : STMicroelectronics |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; RF; 40V; 2.5A; 31.7W; PowerSO10RF Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 40V Drain current: 2.5A Power dissipation: 31.7W Case: PowerSO10RF Gate-source voltage: ±20V Kind of channel: enhancement Output power: 3W Open-loop gain: 17dB Efficiency: 52% Kind of package: tube Frequency: 500MHz Electrical mounting: SMT Kind of transistor: RF кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 23 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
PD55003-E Код товару: 175999
Додати до обраних
Обраний товар
|
Транзистори > Польові N-канальні |
товару немає в наявності
|
|||||||||||||||
|
|
PD55003-E | Виробник : STMicroelectronics |
Trans RF MOSFET N-CH 40V 2.5A 3-Pin PowerSO-10RF (Formed lead) Tube |
товару немає в наявності |
|||||||||||||
 |
PD55003-E | Виробник : STMicroelectronics |
Trans RF FET N-CH 40V 2.5A 3-Pin PowerSO-10RF (Formed lead) Tube |
товару немає в наявності |
|||||||||||||
 |
PD55003-E | Виробник : STMicroelectronics |
Description: RF MOSFET LDMOS 12.5V POWERSO10 Packaging: Tube Package / Case: PowerSO-10 Exposed Bottom Pad Current Rating (Amps): 2.5A Frequency: 500MHz Power - Output: 3W Gain: 17dB Technology: LDMOS Supplier Device Package: 10-PowerSO Part Status: Active Voltage - Rated: 40 V Voltage - Test: 12.5 V Current - Test: 50 mA |
товару немає в наявності |