
PD55003-E STMicroelectronics
на замовлення 1100 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна |
---|---|
400+ | 509.15 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис PD55003-E STMicroelectronics
Category: SMD N channel transistors, Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; RF; 40V; 2.5A; 31.7W; PowerSO10RF, Type of transistor: N-MOSFET, Polarisation: unipolar, Kind of transistor: RF, Drain-source voltage: 40V, Drain current: 2.5A, Power dissipation: 31.7W, Case: PowerSO10RF, Gate-source voltage: ±20V, Kind of package: tube, Frequency: 500MHz, Kind of channel: enhancement, Output power: 3W, Electrical mounting: SMT, Open-loop gain: 17dB, Efficiency: 52%, кількість в упаковці: 1 шт.
Інші пропозиції PD55003-E за ціною від 439.22 грн до 1147.81 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
PD55003-E | Виробник : STMicroelectronics |
![]() |
на замовлення 800 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
PD55003-E | Виробник : STMicroelectronics |
![]() |
на замовлення 650 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
PD55003-E | Виробник : STMicroelectronics |
![]() |
на замовлення 650 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
PD55003-E | Виробник : STMicroelectronics |
![]() |
на замовлення 4077 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
PD55003-E | Виробник : STMicroelectronics |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; RF; 40V; 2.5A; 31.7W; PowerSO10RF Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Kind of transistor: RF Drain-source voltage: 40V Drain current: 2.5A Power dissipation: 31.7W Case: PowerSO10RF Gate-source voltage: ±20V Kind of package: tube Frequency: 500MHz Kind of channel: enhancement Output power: 3W Electrical mounting: SMT Open-loop gain: 17dB Efficiency: 52% |
на замовлення 35 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
PD55003-E | Виробник : STMicroelectronics |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; RF; 40V; 2.5A; 31.7W; PowerSO10RF Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Kind of transistor: RF Drain-source voltage: 40V Drain current: 2.5A Power dissipation: 31.7W Case: PowerSO10RF Gate-source voltage: ±20V Kind of package: tube Frequency: 500MHz Kind of channel: enhancement Output power: 3W Electrical mounting: SMT Open-loop gain: 17dB Efficiency: 52% кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 35 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
PD55003-E Код товару: 175999
Додати до обраних
Обраний товар
|
![]() |
товару немає в наявності
|
|||||||||||||||||||
![]() |
PD55003-E | Виробник : STMicroelectronics |
![]() |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
![]() |
PD55003-E | Виробник : STMicroelectronics |
![]() Packaging: Tube Package / Case: PowerSO-10 Exposed Bottom Pad Current Rating (Amps): 2.5A Frequency: 500MHz Power - Output: 3W Gain: 17dB Technology: LDMOS Supplier Device Package: 10-PowerSO Part Status: Active Voltage - Rated: 40 V Voltage - Test: 12.5 V Current - Test: 50 mA |
товару немає в наявності |