Технічний опис PD55008S-E STMicroelectronics
Description: RF MOSFET LDMOS 12.5V PWRSO-10RF, Packaging: Tube, Package / Case: PowerSO-10 Exposed Bottom Pad, Current Rating (Amps): 4A, Frequency: 500MHz, Power - Output: 8W, Gain: 17dB, Technology: LDMOS, Supplier Device Package: PowerSO-10RF (Straight Lead), Part Status: Active, Voltage - Rated: 40 V, Voltage - Test: 12.5 V, Current - Test: 150 mA.
Інші пропозиції PD55008S-E
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
|---|---|---|---|---|---|
 |
PD55008S-E | Виробник : STMicroelectronics |
 Trans RF FET N-CH 40V 4A 3-Pin PowerSO-10RF (Straight lead) Tube |
товару немає в наявності |
|
| PD55008S-E | Виробник : STMicroelectronics |
Trans RF FET N-CH 40V 4A 3-Pin PowerSO-10RF (Straight lead) Tube |
товару немає в наявності |
||
.jpg "PD55008S-E") |
PD55008S-E | Виробник : STMicroelectronics |
Description: RF MOSFET LDMOS 12.5V PWRSO-10RF Packaging: Tube Package / Case: PowerSO-10 Exposed Bottom Pad Current Rating (Amps): 4A Frequency: 500MHz Power - Output: 8W Gain: 17dB Technology: LDMOS Supplier Device Package: PowerSO-10RF (Straight Lead) Part Status: Active Voltage - Rated: 40 V Voltage - Test: 12.5 V Current - Test: 150 mA |
товару немає в наявності |
|
 |
PD55008S-E | Виробник : STMicroelectronics |
RF MOSFET Transistors POWER R.F. |
товару немає в наявності |
|
| PD55008S-E | Виробник : STMicroelectronics |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 4A; 52.8W; PowerSO10RF Power dissipation: 52.8W Gate-source voltage: ±20V Drain-source voltage: 40V Kind of channel: enhancement Type of transistor: N-MOSFET Case: PowerSO10RF Kind of package: tube Mounting: SMD Polarisation: unipolar Drain current: 4A |
товару немає в наявності |