Продукція > STMICROELECTRONICS > PD55015S-E

PD55015S-E STMicroelectronics

Name: PD55015S-E
Brand: STMicroelectronics
SKU: 157753-4
Price: 1750.60 UAH
Availability: InStock

Виробник: STMicroelectronics
RF MOSFET Transistors POWER RF Transistor

на замовлення 346 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

Кількість	Ціна
1+	1750.60 грн
10+	1412.32 грн
100+	1085.09 грн
400+	979.16 грн

В кошику од. на суму грн.

Відгуки про товар

Написати відгук

Технічний опис PD55015S-E STMicroelectronics

Category: SMD N channel transistors, Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; RF; 40V; 5A; 73W; PowerSO10RF; SMT, Power dissipation: 73W, Gate-source voltage: ±20V, Drain-source voltage: 40V, Efficiency: 55%, Frequency: 500MHz, Kind of channel: enhancement, Type of transistor: N-MOSFET, Case: PowerSO10RF, Kind of package: tube, Kind of transistor: RF, Electrical mounting: SMT, Polarisation: unipolar, Drain current: 5A, Output power: 15W, Open-loop gain: 14dB.

Інші пропозиції PD55015S-E

Назва	Виробник	Інформація	Доступність	Ціна
PD55015S-E			на замовлення 1250 шт: термін постачання 14-28 дні (днів)	В кошику од. на суму грн.
PD55015S-E	Виробник : STMicroelectronics	Trans RF FET N-CH 40V 5A 3-Pin PowerSO-10RF (Straight lead) Tube	товару немає в наявності	В кошику од. на суму грн.
PD55015S-E	Виробник : STMicroelectronics	Trans RF FET N-CH 40V 5A 3-Pin PowerSO-10RF (Straight lead) Tube	товару немає в наявності	В кошику од. на суму грн.
PD55015S-E	Виробник : STMicroelectronics	Description: RF MOSFET LDMOS 12.5V PWRSO-10RF Packaging: Tube Package / Case: PowerSO-10 Exposed Bottom Pad Current Rating (Amps): 5A Frequency: 500MHz Power - Output: 15W Gain: 14dB Technology: LDMOS Supplier Device Package: PowerSO-10RF (Straight Lead) Voltage - Rated: 40 V Voltage - Test: 12.5 V Current - Test: 150 mA	товару немає в наявності	В кошику од. на суму грн.
PD55015S-E	Виробник : STMicroelectronics	Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; RF; 40V; 5A; 73W; PowerSO10RF; SMT Power dissipation: 73W Gate-source voltage: ±20V Drain-source voltage: 40V Efficiency: 55% Frequency: 500MHz Kind of channel: enhancement Type of transistor: N-MOSFET Case: PowerSO10RF Kind of package: tube Kind of transistor: RF Electrical mounting: SMT Polarisation: unipolar Drain current: 5A Output power: 15W Open-loop gain: 14dB	товару немає в наявності	В кошику од. на суму грн.