PD55025-E

PD55025-E STMicroelectronics


en.CD00108676.pdf Виробник: STMicroelectronics
Description: RF MOSFET LDMOS 12.5V POWERSO10
Packaging: Tube
Package / Case: PowerSO-10 Exposed Bottom Pad
Current Rating (Amps): 7A
Frequency: 500MHz
Power - Output: 25W
Gain: 14.5dB
Technology: LDMOS
Supplier Device Package: 10-PowerSO
Part Status: Active
Voltage - Rated: 40 V
Voltage - Test: 12.5 V
Current - Test: 200 mA
на замовлення 35 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+2254.74 грн
10+1757.28 грн
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис PD55025-E STMicroelectronics

Category: SMD N channel transistors, Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 7A; 79W; PowerSO10RF, Power dissipation: 79W, Gate-source voltage: ±20V, Drain-source voltage: 40V, Kind of channel: enhancement, Type of transistor: N-MOSFET, Case: PowerSO10RF, Kind of package: tube, Mounting: SMD, Polarisation: unipolar, Drain current: 7A.

Інші пропозиції PD55025-E за ціною від 1395.15 грн до 2376.93 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
PD55025-E PD55025-E Виробник : STMicroelectronics en.CD00108676.pdf RF MOSFET Transistors RF Pwr Transistors LDMOST Plastic N Ch
на замовлення 218 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+2376.93 грн
10+1933.15 грн
100+1481.59 грн
400+1395.15 грн
В кошику  од. на суму  грн.
PD55025-E PD55025-E Виробник : STMicroelectronics 538cd00128612.pdf Trans RF FET N-CH 40V 7A 3-Pin PowerSO-10RF (Formed lead) Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PD55025-E Виробник : STMicroelectronics 538cd00128612.pdf Trans RF FET N-CH 40V 7A 3-Pin PowerSO-10RF (Formed lead) Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PD55025-E PD55025-E Виробник : STMicroelectronics 563cd00108676.pdf Trans RF MOSFET N-CH 40V 7A 3-Pin PowerSO-10RF (Formed lead) Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PD55025-E Виробник : STMicroelectronics en.CD00108676.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 7A; 79W; PowerSO10RF
Power dissipation: 79W
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 40V
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Case: PowerSO10RF
Kind of package: tube
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
Drain current: 7A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.