PD55025S-E

PD55025S-E STMicroelectronics


en.CD00108676.pdf Виробник: STMicroelectronics
Description: RF MOSFET LDMOS 12.5V PWRSO-10RF
Packaging: Tube
Package / Case: PowerSO-10 Exposed Bottom Pad
Current Rating (Amps): 7A
Frequency: 500MHz
Power - Output: 25W
Gain: 14.5dB
Technology: LDMOS
Supplier Device Package: PowerSO-10RF (Straight Lead)
Part Status: Active
Voltage - Rated: 40 V
Voltage - Test: 12.5 V
Current - Test: 200 mA
на замовлення 331 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+2011.14 грн
10+1567.09 грн
50+1419.30 грн
100+1313.31 грн
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис PD55025S-E STMicroelectronics

Description: STMICROELECTRONICS - PD55025S-E - HF-FET-Transistor, 40 V, 7 A, 79 W, 1 GHz, PowerSO-10RF, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Flanschklemme, Drain-Source-Spannung Vds: 40V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 7A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, MSL: MSL 3 - 168 Stunden, usEccn: EAR99, Betriebsfrequenz, max.: 1GHz, Betriebsfrequenz, min.: -, euEccn: NLR, Verlustleistung: 79W, Bauform - Transistor: PowerSO-10RF, Anzahl der Pins: -, Produktpalette: -, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 165°C, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).

Інші пропозиції PD55025S-E за ціною від 1498.91 грн до 2487.95 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
PD55025S-E PD55025S-E Виробник : STMicroelectronics en.CD00108676.pdf RF MOSFET Transistors POWER RF Transistor
на замовлення 164 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+2022.21 грн
10+1498.91 грн
В кошику  од. на суму  грн.
PD55025S-E PD55025S-E Виробник : STMicroelectronics 563cd00108676.pdf Trans RF MOSFET N-CH 40V 7A 3-Pin PowerSO-10RF (Straight lead) Tube
на замовлення 400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
400+2037.55 грн
Мінімальне замовлення: 400
В кошику  од. на суму  грн.
PD55025S-E PD55025S-E Виробник : STMicroelectronics 563cd00108676.pdf Trans RF MOSFET N-CH 40V 7A 3-Pin PowerSO-10RF (Straight lead) Tube
на замовлення 400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
400+2183.09 грн
Мінімальне замовлення: 400
В кошику  од. на суму  грн.
PD55025S-E PD55025S-E Виробник : STMICROELECTRONICS 1767488.pdf Description: STMICROELECTRONICS - PD55025S-E - HF-FET-Transistor, 40 V, 7 A, 79 W, 1 GHz, PowerSO-10RF
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Flanschklemme
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
Betriebsfrequenz, max.: 1GHz
Betriebsfrequenz, min.: -
euEccn: NLR
Verlustleistung: 79W
Bauform - Transistor: PowerSO-10RF
Anzahl der Pins: -
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 165°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 85 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+2487.95 грн
5+2273.60 грн
10+2058.41 грн
50+1730.51 грн
В кошику  од. на суму  грн.
PD55025S-E PD55025S-E Виробник : STMicroelectronics 563cd00108676.pdf Trans RF FET N-CH 40V 7A 3-Pin PowerSO-10RF (Straight lead) Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PD55025S-E Виробник : STMicroelectronics 563cd00108676.pdf Trans RF FET N-CH 40V 7A 3-Pin PowerSO-10RF (Straight lead) Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PD55025S-E Виробник : STMicroelectronics en.CD00108676.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; RF; 40V; 7A; 79W; PowerSO10RF; SMT
Power dissipation: 79W
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 40V
Efficiency: 50%
Frequency: 500MHz
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Case: PowerSO10RF
Kind of package: tube
Kind of transistor: RF
Electrical mounting: SMT
Polarisation: unipolar
Drain current: 7A
Output power: 25W
Open-loop gain: 14.5dB
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PD55025S-E Виробник : STMicroelectronics en.CD00108676.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; RF; 40V; 7A; 79W; PowerSO10RF; SMT
Power dissipation: 79W
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 40V
Efficiency: 50%
Frequency: 500MHz
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Case: PowerSO10RF
Kind of package: tube
Kind of transistor: RF
Electrical mounting: SMT
Polarisation: unipolar
Drain current: 7A
Output power: 25W
Open-loop gain: 14.5dB
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.