.jpg "PD55025S-E")
PD55025S-E STMicroelectronics
Виробник: STMicroelectronicsDescription: RF MOSFET LDMOS 12.5V PWRSO-10RF
Packaging: Tube
Package / Case: PowerSO-10 Exposed Bottom Pad
Current Rating (Amps): 7A
Frequency: 500MHz
Power - Output: 25W
Gain: 14.5dB
Technology: LDMOS
Supplier Device Package: PowerSO-10RF (Straight Lead)
Part Status: Active
Voltage - Rated: 40 V
Voltage - Test: 12.5 V
Current - Test: 200 mA
на замовлення 339 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 1987.5 грн |
| 10+ | 1765.2 грн |
| 50+ | 1685.83 грн |
| 100+ | 1414.57 грн |
| 250+ | 1349.43 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис PD55025S-E STMicroelectronics
Description: STMICROELECTRONICS - PD55025S-E - HF-FET-Transistor, 40 V, 7 A, 79 W, 1 GHz, PowerSO-10RF, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Flanschklemme, Drain-Source-Spannung Vds: 40V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 7A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, usEccn: EAR99, Betriebsfrequenz, max.: 1GHz, Betriebsfrequenz, min.: -Hz, euEccn: NLR, Verlustleistung: 79W, Bauform - Transistor: PowerSO-10RF, Anzahl der Pins: -Pins, Produktpalette: -, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 165°C.
Інші пропозиції PD55025S-E за ціною від 1337.15 грн до 2178.85 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
PD55025S-E | Виробник : STMicroelectronics |
RF MOSFET Transistors POWER RF Transistor |
на замовлення 262 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
PD55025S-E | Виробник : STMICROELECTRONICS |
Description: STMICROELECTRONICS - PD55025S-E - HF-FET-Transistor, 40 V, 7 A, 79 W, 1 GHz, PowerSO-10RF tariffCode: 85412900 Transistormontage: Flanschklemme Drain-Source-Spannung Vds: 40V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 7A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 Betriebsfrequenz, max.: 1GHz Betriebsfrequenz, min.: -Hz euEccn: NLR Verlustleistung: 79W Bauform - Transistor: PowerSO-10RF Anzahl der Pins: -Pins Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 165°C |
на замовлення 106 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
PD55025S-E | Виробник : STMicroelectronics |
Trans RF FET N-CH 40V 7A 3-Pin PowerSO-10RF (Straight lead) Tube |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
| PD55025S-E | Виробник : STMicroelectronics |
Trans RF FET N-CH 40V 7A 3-Pin PowerSO-10RF (Straight lead) Tube |
товар відсутній |
||||||||||||||||||
 |
PD55025S-E | Виробник : STMicroelectronics |
Trans RF MOSFET N-CH 40V 7A 3-Pin PowerSO-10RF (Straight lead) Tube |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
| PD55025S-E | Виробник : STMicroelectronics |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; RF; 40V; 7A; 79W; PowerSO10RF; SMT Drain current: 7A Open-loop gain: 14.5dB Output power: 25W Power dissipation: 79W Efficiency: 50% Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 40V Frequency: 500MHz Kind of package: tube Electrical mounting: SMT Kind of transistor: RF Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±20V Type of transistor: N-MOSFET Case: PowerSO10RF кількість в упаковці: 1 шт |
товар відсутній |
||||||||||||||||||
| PD55025S-E | Виробник : STMicroelectronics |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; RF; 40V; 7A; 79W; PowerSO10RF; SMT Drain current: 7A Open-loop gain: 14.5dB Output power: 25W Power dissipation: 79W Efficiency: 50% Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 40V Frequency: 500MHz Kind of package: tube Electrical mounting: SMT Kind of transistor: RF Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±20V Type of transistor: N-MOSFET Case: PowerSO10RF |
товар відсутній |