PD55025S-E STMicroelectronics
Виробник: STMicroelectronics
Description: RF MOSFET LDMOS 12.5V PWRSO-10RF
Current - Test: 200 mA
Voltage - Test: 12.5 V
Voltage - Rated: 40 V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PowerSO-10RF (Straight Lead)
Technology: LDMOS
Gain: 14.5dB
Power - Output: 25W
Frequency: 500MHz
Current Rating (Amps): 7A
Package / Case: PowerSO-10 Exposed Bottom Pad
Packaging: Tube
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 1917.63 грн |
| 10+ | 1494.23 грн |
| 50+ | 1353.31 грн |
| 100+ | 1252.25 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис PD55025S-E STMicroelectronics
Description: STMICROELECTRONICS - PD55025S-E - HF-FET-Transistor, 40 V, 7 A, 79 W, 1 GHz, PowerSO-10RF, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Flanschklemme, Drain-Source-Spannung Vds: 40V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 7A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, MSL: MSL 3 - 168 Stunden, usEccn: EAR99, Betriebsfrequenz, max.: 1GHz, Betriebsfrequenz, min.: -, euEccn: NLR, Verlustleistung: 79W, Bauform - Transistor: PowerSO-10RF, Anzahl der Pins: -, Produktpalette: -, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 165°C, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).
Інші пропозиції PD55025S-E за ціною від 2339.77 грн до 2339.77 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||
|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
PD55025S-E | STMicroelectronics |
Trans RF MOSFET N-CH 40V 7A 3-Pin PowerSO-10RF (Straight lead) Tube |
на замовлення 400 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||
|
|
PD55025S-E | STMicroelectronics |
Trans RF MOSFET N-CH 40V 7A 3-Pin PowerSO-10RF (Straight lead) Tube |
на замовлення 400 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||
 |
PD55025S-E | STMicroelectronics |
RF MOSFET Transistors POWER RF Transistor |
на замовлення 112 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||
 |
PD55025S-E | STMICROELECTRONICS |
Description: STMICROELECTRONICS - PD55025S-E - HF-FET-Transistor, 40 V, 7 A, 79 W, 1 GHz, PowerSO-10RF tariffCode: 85412900 Transistormontage: Flanschklemme Drain-Source-Spannung Vds: 40V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 7A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES MSL: MSL 3 - 168 Stunden usEccn: EAR99 Betriebsfrequenz, max.: 1GHz Betriebsfrequenz, min.: - euEccn: NLR Verlustleistung: 79W Bauform - Transistor: PowerSO-10RF Anzahl der Pins: - Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 165°C SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
на замовлення 85 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
| PD55025S-E |
|
Виробник: STMicroelectronics
Trans RF MOSFET N-CH 40V 7A 3-Pin PowerSO-10RF (Straight lead) Tube
Trans RF MOSFET N-CH 40V 7A 3-Pin PowerSO-10RF (Straight lead) Tube
на замовлення 400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 400+ | 2339.77 грн |
| PD55025S-E |
|
Виробник: STMicroelectronics
Trans RF MOSFET N-CH 40V 7A 3-Pin PowerSO-10RF (Straight lead) Tube
Trans RF MOSFET N-CH 40V 7A 3-Pin PowerSO-10RF (Straight lead) Tube
на замовлення 400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 400+ | 2339.77 грн |
| PD55025S-E |
|
Виробник: STMicroelectronics
RF MOSFET Transistors POWER RF Transistor
RF MOSFET Transistors POWER RF Transistor
на замовлення 112 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| PD55025S-E |
|
Виробник: STMICROELECTRONICS
Description: STMICROELECTRONICS - PD55025S-E - HF-FET-Transistor, 40 V, 7 A, 79 W, 1 GHz, PowerSO-10RF
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Flanschklemme
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
Betriebsfrequenz, max.: 1GHz
Betriebsfrequenz, min.: -
euEccn: NLR
Verlustleistung: 79W
Bauform - Transistor: PowerSO-10RF
Anzahl der Pins: -
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 165°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
Description: STMICROELECTRONICS - PD55025S-E - HF-FET-Transistor, 40 V, 7 A, 79 W, 1 GHz, PowerSO-10RF
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Flanschklemme
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
Betriebsfrequenz, max.: 1GHz
Betriebsfrequenz, min.: -
euEccn: NLR
Verlustleistung: 79W
Bauform - Transistor: PowerSO-10RF
Anzahl der Pins: -
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 165°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 85 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)