PD55025S-E STMicroelectronics
Виробник: STMicroelectronicsDescription: RF MOSFET LDMOS 12.5V PWRSO-10RF
Packaging: Tube
Package / Case: PowerSO-10 Exposed Bottom Pad
Current Rating (Amps): 7A
Frequency: 500MHz
Power - Output: 25W
Gain: 14.5dB
Technology: LDMOS
Supplier Device Package: PowerSO-10RF (Straight Lead)
Part Status: Active
Voltage - Rated: 40 V
Voltage - Test: 12.5 V
Current - Test: 200 mA
на замовлення 331 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 1946.62 грн |
| 10+ | 1516.82 грн |
| 50+ | 1373.77 грн |
| 100+ | 1271.18 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис PD55025S-E STMicroelectronics
Description: STMICROELECTRONICS - PD55025S-E - HF-FET-Transistor, 40 V, 7 A, 79 W, 1 GHz, PowerSO-10RF, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Flanschklemme, Drain-Source-Spannung Vds: 40V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 7A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, MSL: MSL 3 - 168 Stunden, usEccn: EAR99, Betriebsfrequenz, max.: 1GHz, Betriebsfrequenz, min.: -, euEccn: NLR, Verlustleistung: 79W, Bauform - Transistor: PowerSO-10RF, Anzahl der Pins: -, Produktpalette: -, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 165°C, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).
Інші пропозиції PD55025S-E за ціною від 1392.96 грн до 2408.14 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
PD55025S-E | Виробник : STMicroelectronics |
RF MOSFET Transistors POWER RF Transistor |
на замовлення 164 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||
 |
PD55025S-E | Виробник : STMICROELECTRONICS |
Description: STMICROELECTRONICS - PD55025S-E - HF-FET-Transistor, 40 V, 7 A, 79 W, 1 GHz, PowerSO-10RF tariffCode: 85412900 Transistormontage: Flanschklemme Drain-Source-Spannung Vds: 40V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 7A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES MSL: MSL 3 - 168 Stunden usEccn: EAR99 Betriebsfrequenz, max.: 1GHz Betriebsfrequenz, min.: - euEccn: NLR Verlustleistung: 79W Bauform - Transistor: PowerSO-10RF Anzahl der Pins: - Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 165°C SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
на замовлення 85 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
 |
PD55025S-E | Виробник : STMicroelectronics |
Trans RF FET N-CH 40V 7A 3-Pin PowerSO-10RF (Straight lead) Tube |
товару немає в наявності |
|||||||||||
| PD55025S-E | Виробник : STMicroelectronics |
Trans RF FET N-CH 40V 7A 3-Pin PowerSO-10RF (Straight lead) Tube |
товару немає в наявності |
||||||||||||
 |
PD55025S-E | Виробник : STMicroelectronics |
Trans RF MOSFET N-CH 40V 7A 3-Pin PowerSO-10RF (Straight lead) Tube |
товару немає в наявності |
|||||||||||
| PD55025S-E | Виробник : STMicroelectronics |
PD55025S-E SMD N channel transistors |
товару немає в наявності |