PD57018-E STMicroelectronics
Виробник: STMicroelectronicsDescription: RF MOSFET LDMOS 28V POWERSO10
Packaging: Tube
Package / Case: PowerSO-10 Exposed Bottom Pad
Current Rating (Amps): 2.5A
Frequency: 945MHz
Power - Output: 18W
Gain: 16.5dB
Technology: LDMOS
Supplier Device Package: 10-PowerSO
Part Status: Active
Voltage - Rated: 65 V
Voltage - Test: 28 V
Current - Test: 100 mA
на замовлення 360 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 2247.36 грн |
| 10+ | 1752.86 грн |
| 50+ | 1588.15 грн |
| 100+ | 1442.58 грн |
| 250+ | 1392.06 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис PD57018-E STMicroelectronics
Category: SMD N channel transistors, Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; RF; 65V; 2.5A; 31.7W; PowerSO10RF, Kind of channel: enhancement, Electrical mounting: SMT, Type of transistor: N-MOSFET, Case: PowerSO10RF, Kind of package: tube, Kind of transistor: RF, Polarisation: unipolar, Drain current: 2.5A, Open-loop gain: 16.5dB, Output power: 18W, Gate-source voltage: ±20V, Power dissipation: 31.7W, Drain-source voltage: 65V, Frequency: 945MHz, кількість в упаковці: 1 шт.
Інші пропозиції PD57018-E за ціною від 1577.12 грн до 2665.31 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
PD57018-E | Виробник : STMicroelectronics |
Trans RF MOSFET N-CH 65V 2.5A 3-Pin PowerSO-10RF (Formed lead) Tube |
на замовлення 94 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
PD57018-E | Виробник : STMicroelectronics |
Trans RF MOSFET N-CH 65V 2.5A 3-Pin PowerSO-10RF (Formed lead) Tube |
на замовлення 94 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
PD57018-E | Виробник : STMicroelectronics |
RF MOSFET Transistors POWER RF Transistor |
на замовлення 606 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
PD57018-E Код товару: 176005
Додати до обраних
Обраний товар
|
Транзистори > Польові N-канальні |
товару немає в наявності
|
|||||||||||||||||||
 |
PD57018-E | Виробник : STMicroelectronics |
Trans RF FET N-CH 65V 2.5A 3-Pin PowerSO-10RF (Formed lead) Tube |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
| PD57018-E | Виробник : STMicroelectronics |
Trans RF FET N-CH 65V 2.5A 3-Pin PowerSO-10RF (Formed lead) Tube |
товару немає в наявності |
||||||||||||||||||
|
|
PD57018-E | Виробник : STMicroelectronics |
Trans RF MOSFET N-CH 65V 2.5A 3-Pin PowerSO-10RF (Formed lead) Tube |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
| PD57018-E | Виробник : STMicroelectronics |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; RF; 65V; 2.5A; 31.7W; PowerSO10RF Kind of channel: enhancement Electrical mounting: SMT Type of transistor: N-MOSFET Case: PowerSO10RF Kind of package: tube Kind of transistor: RF Polarisation: unipolar Drain current: 2.5A Open-loop gain: 16.5dB Output power: 18W Gate-source voltage: ±20V Power dissipation: 31.7W Drain-source voltage: 65V Frequency: 945MHz кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
||||||||||||||||||
| PD57018-E | Виробник : STMicroelectronics |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; RF; 65V; 2.5A; 31.7W; PowerSO10RF Kind of channel: enhancement Electrical mounting: SMT Type of transistor: N-MOSFET Case: PowerSO10RF Kind of package: tube Kind of transistor: RF Polarisation: unipolar Drain current: 2.5A Open-loop gain: 16.5dB Output power: 18W Gate-source voltage: ±20V Power dissipation: 31.7W Drain-source voltage: 65V Frequency: 945MHz |
товару немає в наявності |