PD57018-E STMicroelectronics
на замовлення 94 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 2163.59 грн |
| 10+ | 1993.59 грн |
| 25+ | 1952.64 грн |
| 50+ | 1783.06 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис PD57018-E STMicroelectronics
Category: SMD N channel transistors, Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; RF; 65V; 2.5A; 31.7W; PowerSO10RF, Drain-source voltage: 65V, Drain current: 2.5A, Type of transistor: N-MOSFET, Open-loop gain: 16.5dB, Output power: 18W, Power dissipation: 31.7W, Polarisation: unipolar, Kind of package: tube, Electrical mounting: SMT, Kind of transistor: RF, Kind of channel: enhancement, Gate-source voltage: ±20V, Case: PowerSO10RF, Frequency: 945MHz, кількість в упаковці: 1 шт.
Інші пропозиції PD57018-E за ціною від 1452.38 грн до 2586.04 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
PD57018-E | Виробник : STMicroelectronics |
 Trans RF MOSFET N-CH 65V 2.5A 3-Pin PowerSO-10RF (Formed lead) Tube |
на замовлення 94 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
PD57018-E | Виробник : STMicroelectronics |
Description: RF MOSFET LDMOS 28V POWERSO10 Packaging: Tube Package / Case: PowerSO-10 Exposed Bottom Pad Current Rating (Amps): 2.5A Frequency: 945MHz Power - Output: 18W Gain: 16.5dB Technology: LDMOS Supplier Device Package: 10-PowerSO Part Status: Active Voltage - Rated: 65 V Voltage - Test: 28 V Current - Test: 100 mA |
на замовлення 367 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
PD57018-E | Виробник : STMicroelectronics |
RF MOSFET Transistors POWER RF Transistor |
на замовлення 606 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
PD57018-E Код товару: 176005
Додати до обраних
Обраний товар
|
Транзистори > Польові N-канальні |
товару немає в наявності
|
|||||||||||||||||||
 |
PD57018-E | Виробник : STMicroelectronics |
Trans RF FET N-CH 65V 2.5A 3-Pin PowerSO-10RF (Formed lead) Tube |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
| PD57018-E | Виробник : STMicroelectronics |
Trans RF FET N-CH 65V 2.5A 3-Pin PowerSO-10RF (Formed lead) Tube |
товару немає в наявності |
||||||||||||||||||
|
|
PD57018-E | Виробник : STMicroelectronics |
Trans RF MOSFET N-CH 65V 2.5A 3-Pin PowerSO-10RF (Formed lead) Tube |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
| PD57018-E | Виробник : STMicroelectronics |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; RF; 65V; 2.5A; 31.7W; PowerSO10RF Drain-source voltage: 65V Drain current: 2.5A Type of transistor: N-MOSFET Open-loop gain: 16.5dB Output power: 18W Power dissipation: 31.7W Polarisation: unipolar Kind of package: tube Electrical mounting: SMT Kind of transistor: RF Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±20V Case: PowerSO10RF Frequency: 945MHz кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
||||||||||||||||||
| PD57018-E | Виробник : STMicroelectronics |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; RF; 65V; 2.5A; 31.7W; PowerSO10RF Drain-source voltage: 65V Drain current: 2.5A Type of transistor: N-MOSFET Open-loop gain: 16.5dB Output power: 18W Power dissipation: 31.7W Polarisation: unipolar Kind of package: tube Electrical mounting: SMT Kind of transistor: RF Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±20V Case: PowerSO10RF Frequency: 945MHz |
товару немає в наявності |