Продукція > STMICROELECTRONICS > PD57018-E
PD57018-E

PD57018-E STMicroelectronics

1486cd00098308.pdf Виробник: STMicroelectronics
Trans RF MOSFET N-CH 65V 2.5A 3-Pin PowerSO-10RF (Formed lead) Tube
на замовлення 36 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
36+1819.01 грн
Мінімальне замовлення: 36
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис PD57018-E STMicroelectronics

Category: SMD N channel transistors, Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; RF; 65V; 2.5A; 31.7W; PowerSO10RF, Kind of package: tube, Kind of channel: enhancement, Electrical mounting: SMT, Type of transistor: N-MOSFET, Case: PowerSO10RF, Kind of transistor: RF, Polarisation: unipolar, Drain current: 2.5A, Open-loop gain: 16.5dB, Output power: 18W, Gate-source voltage: ±20V, Power dissipation: 31.7W, Drain-source voltage: 65V, Frequency: 945MHz.

Інші пропозиції PD57018-E за ціною від 1273.84 грн до 2459.08 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
PD57018-E PD57018-E Виробник : STMicroelectronics en.CD00098308.pdf Description: RF MOSFET LDMOS 28V POWERSO10
Packaging: Tube
Package / Case: PowerSO-10 Exposed Bottom Pad
Current Rating (Amps): 2.5A
Frequency: 945MHz
Power - Output: 18W
Gain: 16.5dB
Technology: LDMOS
Supplier Device Package: 10-PowerSO
Part Status: Active
Voltage - Rated: 65 V
Voltage - Test: 28 V
Current - Test: 100 mA
на замовлення 357 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+1946.38 грн
10+1518.14 грн
50+1375.47 грн
100+1273.84 грн
В кошику  од. на суму  грн.
PD57018-E PD57018-E Виробник : STMicroelectronics 1486cd00098308.pdf Trans RF MOSFET N-CH 65V 2.5A 3-Pin PowerSO-10RF (Formed lead) Tube
на замовлення 2624 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
6+2152.63 грн
10+1647.60 грн
100+1628.40 грн
400+1566.54 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
PD57018-E PD57018-E Виробник : STMicroelectronics 1486cd00098308.pdf Trans RF MOSFET N-CH 65V 2.5A 3-Pin PowerSO-10RF (Formed lead) Tube
на замовлення 2624 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+2309.86 грн
10+1767.95 грн
100+1747.34 грн
400+1680.96 грн
В кошику  од. на суму  грн.
PD57018-E PD57018-E Виробник : STMicroelectronics en.CD00098308.pdf RF MOSFET Transistors POWER RF Transistor
на замовлення 296 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+2459.08 грн
10+1779.80 грн
100+1444.83 грн
В кошику  од. на суму  грн.
PD57018-E PD57018-E Виробник : STMicroelectronics 1486cd00098308.pdf Trans RF MOSFET N-CH 65V 2.5A 3-Pin PowerSO-10RF (Formed lead) Tube
на замовлення 36 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
PD57018-E
Код товару: 176005
Додати до обраних Обраний товар

en.CD00098308.pdf Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PD57018-E PD57018-E Виробник : STMicroelectronics 1486cd00098308.pdf Trans RF FET N-CH 65V 2.5A 3-Pin PowerSO-10RF (Formed lead) Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PD57018-E Виробник : STMicroelectronics 1486cd00098308.pdf Trans RF FET N-CH 65V 2.5A 3-Pin PowerSO-10RF (Formed lead) Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PD57018-E Виробник : STMicroelectronics pd57018-e.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; RF; 65V; 2.5A; 31.7W; PowerSO10RF
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Electrical mounting: SMT
Type of transistor: N-MOSFET
Case: PowerSO10RF
Kind of transistor: RF
Polarisation: unipolar
Drain current: 2.5A
Open-loop gain: 16.5dB
Output power: 18W
Gate-source voltage: ±20V
Power dissipation: 31.7W
Drain-source voltage: 65V
Frequency: 945MHz
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.