Продукція > STMICROELECTRONICS > PD57018-E
PD57018-E

PD57018-E STMicroelectronics

en.CD00098308.pdf Виробник: STMicroelectronics
Description: RF MOSFET LDMOS 28V POWERSO10
Packaging: Tube
Package / Case: PowerSO-10 Exposed Bottom Pad
Current Rating (Amps): 2.5A
Frequency: 945MHz
Power - Output: 18W
Gain: 16.5dB
Technology: LDMOS
Supplier Device Package: 10-PowerSO
Part Status: Active
Voltage - Rated: 65 V
Voltage - Test: 28 V
Current - Test: 100 mA
на замовлення 360 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+2242.78 грн
10+1749.29 грн
50+1584.92 грн
100+1439.64 грн
250+1389.23 грн
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис PD57018-E STMicroelectronics

Category: SMD N channel transistors, Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; RF; 65V; 2.5A; 31.7W; PowerSO10RF, Kind of package: tube, Kind of channel: enhancement, Electrical mounting: SMT, Type of transistor: N-MOSFET, Case: PowerSO10RF, Kind of transistor: RF, Polarisation: unipolar, Drain current: 2.5A, Open-loop gain: 16.5dB, Output power: 18W, Gate-source voltage: ±20V, Power dissipation: 31.7W, Drain-source voltage: 65V, Frequency: 945MHz.

Інші пропозиції PD57018-E за ціною від 1573.91 грн до 2659.89 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
PD57018-E PD57018-E Виробник : STMicroelectronics 1486cd00098308.pdf Trans RF MOSFET N-CH 65V 2.5A 3-Pin PowerSO-10RF (Formed lead) Tube
на замовлення 94 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
6+2370.89 грн
10+2184.61 грн
25+2139.73 грн
50+1953.90 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
PD57018-E PD57018-E Виробник : STMicroelectronics 1486cd00098308.pdf Trans RF MOSFET N-CH 65V 2.5A 3-Pin PowerSO-10RF (Formed lead) Tube
на замовлення 94 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+2538.56 грн
10+2339.10 грн
25+2291.05 грн
50+2092.08 грн
В кошику  од. на суму  грн.
PD57018-E PD57018-E Виробник : STMicroelectronics pd57018_e-1849911.pdf RF MOSFET Transistors POWER RF Transistor
на замовлення 606 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+2659.89 грн
10+2139.80 грн
25+1859.94 грн
50+1685.15 грн
100+1631.42 грн
250+1574.67 грн
400+1573.91 грн
В кошику  од. на суму  грн.
PD57018-E
Код товару: 176005
Додати до обраних Обраний товар

en.CD00098308.pdf Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PD57018-E PD57018-E Виробник : STMicroelectronics 1486cd00098308.pdf Trans RF FET N-CH 65V 2.5A 3-Pin PowerSO-10RF (Formed lead) Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PD57018-E Виробник : STMicroelectronics 1486cd00098308.pdf Trans RF FET N-CH 65V 2.5A 3-Pin PowerSO-10RF (Formed lead) Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PD57018-E PD57018-E Виробник : STMicroelectronics 1486cd00098308.pdf Trans RF MOSFET N-CH 65V 2.5A 3-Pin PowerSO-10RF (Formed lead) Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PD57018-E Виробник : STMicroelectronics pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDD80B9A265C0B460D2&compId=pd57018-e.pdf?ci_sign=9168b254d8573ad75203ef221c0db361c4aecb62 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; RF; 65V; 2.5A; 31.7W; PowerSO10RF
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Electrical mounting: SMT
Type of transistor: N-MOSFET
Case: PowerSO10RF
Kind of transistor: RF
Polarisation: unipolar
Drain current: 2.5A
Open-loop gain: 16.5dB
Output power: 18W
Gate-source voltage: ±20V
Power dissipation: 31.7W
Drain-source voltage: 65V
Frequency: 945MHz
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.