Інші пропозиції PD57018S-E за ціною від 1348.46 грн до 2176.92 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
PD57018S-E | Виробник : STMicroelectronics |
 MOSFETs RF POWER transistor, N-channel enhancement-mode, lateral MOSFETs |
на замовлення 214 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
PD57018S-E | Виробник : STMicroelectronics |
Description: RF MOSFET LDMOS 28V POWERSO-10RF Packaging: Tube Package / Case: PowerSO-10 Exposed Bottom Pad Current Rating (Amps): 2.5A Frequency: 945MHz Power - Output: 18W Gain: 16.5dB Technology: LDMOS Supplier Device Package: PowerSO-10RF (Straight Lead) Part Status: Active Voltage - Rated: 65 V Voltage - Test: 28 V Current - Test: 100 mA |
на замовлення 363 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
PD57018S-E | Виробник : STMicroelectronics |
Trans RF MOSFET N-CH 65V 2.5A 3-Pin PowerSO-10RF (Straight lead) Tube |
товару немає в наявності |
|||||||||||||
| PD57018S-E | Виробник : STMicroelectronics |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 65V; 2.5A; 31.7W; PowerSO10RF Type of transistor: N-MOSFET Case: PowerSO10RF Mounting: SMD Polarisation: unipolar Drain current: 2.5A Gate-source voltage: ±20V Power dissipation: 31.7W Drain-source voltage: 65V Kind of package: tube Kind of channel: enhancement |
товару немає в наявності |