PD57018STR-E STMicroelectronics
Виробник: STMicroelectronics
Description: RF MOSFET LDMOS 28V POWERSO-10RF
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerSO-10 Exposed Bottom Pad
Current Rating (Amps): 2.5A
Frequency: 945MHz
Power - Output: 18W
Gain: 16.5dB
Technology: LDMOS
Supplier Device Package: PowerSO-10RF (Straight Lead)
Voltage - Rated: 65 V
Voltage - Test: 28 V
Current - Test: 100 mA
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис PD57018STR-E STMicroelectronics
Category: SMD N channel transistors, Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 65V; 2.5A; 31.7W; PowerSO10RF, Type of transistor: N-MOSFET, Polarisation: unipolar, Drain-source voltage: 65V, Drain current: 2.5A, Power dissipation: 31.7W, Case: PowerSO10RF, Gate-source voltage: ±20V, Mounting: SMD, Kind of package: reel; tape, Kind of channel: enhancement.
Інші пропозиції PD57018STR-E
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
 |
PD57018STR-E | STMicroelectronics |
RF MOSFET Transistors POWER R.F. |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 600 шт В кошику од. на суму грн. |
| PD57018STR-E | STMicroelectronics |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 65V; 2.5A; 31.7W; PowerSO10RF Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 65V Drain current: 2.5A Power dissipation: 31.7W Case: PowerSO10RF Gate-source voltage: ±20V Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. |
| PD57018STR-E |
|
Виробник: STMicroelectronics
RF MOSFET Transistors POWER R.F.
RF MOSFET Transistors POWER R.F.
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 600 шт
В кошику
од. на суму грн.
| PD57018STR-E |
|
Виробник: STMicroelectronics
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 65V; 2.5A; 31.7W; PowerSO10RF
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 65V
Drain current: 2.5A
Power dissipation: 31.7W
Case: PowerSO10RF
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 65V; 2.5A; 31.7W; PowerSO10RF
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 65V
Drain current: 2.5A
Power dissipation: 31.7W
Case: PowerSO10RF
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.