PD57060-E STMicroelectronics
на замовлення 974 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 4595.89 грн |
| 10+ | 3576.36 грн |
| 100+ | 3043.89 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис PD57060-E STMicroelectronics
Description: STMICROELECTRONICS - PD57060-E - HF-FET-Transistor, 65 V, 7 A, 79 W, 1 GHz, PowerSO-10RF, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 65V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 7A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, isCanonical: Y, MSL: MSL 3 - 168 Stunden, usEccn: EAR99, Betriebsfrequenz, max.: 1GHz, Betriebsfrequenz, min.: -, euEccn: NLR, Verlustleistung: 79W, Bauform - Transistor: PowerSO-10RF, Anzahl der Pins: -, Produktpalette: -, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 165°C, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).
Інші пропозиції PD57060-E за ціною від 4417.40 грн до 4936.43 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
PD57060-E | Виробник : STMICROELECTRONICS |
 Description: STMICROELECTRONICS - PD57060-E - HF-FET-Transistor, 65 V, 7 A, 79 W, 1 GHz, PowerSO-10RFtariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 65V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 7A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES isCanonical: Y MSL: MSL 3 - 168 Stunden usEccn: EAR99 Betriebsfrequenz, max.: 1GHz Betriebsfrequenz, min.: - euEccn: NLR Verlustleistung: 79W Bauform - Transistor: PowerSO-10RF Anzahl der Pins: - Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 165°C SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
на замовлення 5 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||
| PD57060-E | Виробник : STMicroelectronics |
Trans RF FET N-CH 65V 7A 3-Pin PowerSO-10RF (Formed lead) Tube |
товару немає в наявності |
||||||||
 |
PD57060-E | Виробник : STMicroelectronics |
Trans RF FET N-CH 65V 7A 3-Pin PowerSO-10RF (Formed lead) Tube |
товару немає в наявності |
|||||||
 |
PD57060-E | Виробник : STMicroelectronics |
Trans RF MOSFET N-CH 65V 7A 3-Pin PowerSO-10RF (Formed lead) Tube |
товару немає в наявності |
|||||||
 |
PD57060-E | Виробник : STMicroelectronics |
Description: RF MOSFET LDMOS 28V POWERSO10 Packaging: Tube Package / Case: PowerSO-10 Exposed Bottom Pad Current Rating (Amps): 7A Frequency: 945MHz Power - Output: 60W Gain: 14.3dB Technology: LDMOS Supplier Device Package: 10-PowerSO Part Status: Active Voltage - Rated: 65 V Voltage - Test: 28 V Current - Test: 100 mA |
товару немає в наявності |
|||||||
 |
PD57060-E | Виробник : STMicroelectronics |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; RF; 65V; 7A; 79W; PowerSO10RF; SMT Polarisation: unipolar Case: PowerSO10RF Kind of channel: enhancement Type of transistor: N-MOSFET Kind of package: tube Kind of transistor: RF Electrical mounting: SMT Power dissipation: 79W Drain current: 7A Open-loop gain: 14.3dB Gate-source voltage: ±20V Efficiency: 54% Output power: 60W Drain-source voltage: 65V Frequency: 945MHz |
товару немає в наявності |