PD57060-E STMicroelectronics
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 3929.05 грн |
| 10+ | 3375.87 грн |
Товар під замовлення
Немає на нашому складі — привозимо зі складу постачальника після оформлення замовлення.
термін постачання:
31-40 дні (днів)
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис PD57060-E STMicroelectronics
Description: STMICROELECTRONICS - PD57060-E - HF-FET-Transistor, 65 V, 7 A, 79 W, 1 GHz, PowerSO-10RF, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 65V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 7A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, isCanonical: Y, MSL: MSL 3 - 168 Stunden, Betriebsfrequenz, max.: 1GHz, Betriebsfrequenz, min.: -, Verlustleistung: 79W, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025), Bauform - Transistor: PowerSO-10RF, Anzahl der Pins: -, Produktpalette: -, productTraceability: No, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 165°C.
Інші пропозиції PD57060-E
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
 |
PD57060-E | STMICROELECTRONICS |
 Description: STMICROELECTRONICS - PD57060-E - HF-FET-Transistor, 65 V, 7 A, 79 W, 1 GHz, PowerSO-10RFtariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 65V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 7A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES isCanonical: Y MSL: MSL 3 - 168 Stunden Betriebsfrequenz, max.: 1GHz Betriebsfrequenz, min.: - Verlustleistung: 79W SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) Bauform - Transistor: PowerSO-10RF Anzahl der Pins: - Produktpalette: - productTraceability: No usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 165°C |
на замовлення 3 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
| PD57060-E |
|
Виробник: STMICROELECTRONICS
Description: STMICROELECTRONICS - PD57060-E - HF-FET-Transistor, 65 V, 7 A, 79 W, 1 GHz, PowerSO-10RF
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 65V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
Betriebsfrequenz, max.: 1GHz
Betriebsfrequenz, min.: -
Verlustleistung: 79W
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
Bauform - Transistor: PowerSO-10RF
Anzahl der Pins: -
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 165°C
Description: STMICROELECTRONICS - PD57060-E - HF-FET-Transistor, 65 V, 7 A, 79 W, 1 GHz, PowerSO-10RF
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 65V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
Betriebsfrequenz, max.: 1GHz
Betriebsfrequenz, min.: -
Verlustleistung: 79W
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
Bauform - Transistor: PowerSO-10RF
Anzahl der Pins: -
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 165°C
на замовлення 3 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)