PD57060S-E STMicroelectronics
Виробник: STMicroelectronics
Description: RF MOSFET LDMOS 28V POWERSO-10RF
Current - Test: 100 mA
Voltage - Test: 28 V
Voltage - Rated: 65 V
Supplier Device Package: PowerSO-10RF (Straight Lead)
Technology: LDMOS
Gain: 14.3dB
Power - Output: 60W
Frequency: 945MHz
Current Rating (Amps): 7A
Package / Case: PowerSO-10 Exposed Bottom Pad
Packaging: Tube
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 3651.48 грн |
| 10+ | 2905.85 грн |
| 50+ | 2693.52 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис PD57060S-E STMicroelectronics
Description: STMICROELECTRONICS - PD57060S-E - HF-FET-Transistor, 65 V, 7 A, 79 W, 945 MHz, PowerSO-10RF, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Flanschklemme, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 65V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 7A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, isCanonical: Y, MSL: MSL 3 - 168 Stunden, Betriebsfrequenz, max.: 945MHz, Betriebsfrequenz, min.: -, Verlustleistung: 79W, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: PowerSO-10RF, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 165°C.
Інші пропозиції PD57060S-E
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
 |
PD57060S-E | STMICROELECTRONICS |
Description: STMICROELECTRONICS - PD57060S-E - HF-FET-Transistor, 65 V, 7 A, 79 W, 945 MHz, PowerSO-10RF tariffCode: 85412900 Transistormontage: Flanschklemme euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 65V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 7A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES isCanonical: Y MSL: MSL 3 - 168 Stunden Betriebsfrequenz, max.: 945MHz Betriebsfrequenz, min.: - Verlustleistung: 79W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: PowerSO-10RF Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 165°C |
на замовлення 547 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
| PD57060S-E |
|
Виробник: STMICROELECTRONICS
Description: STMICROELECTRONICS - PD57060S-E - HF-FET-Transistor, 65 V, 7 A, 79 W, 945 MHz, PowerSO-10RF
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Flanschklemme
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 65V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
Betriebsfrequenz, max.: 945MHz
Betriebsfrequenz, min.: -
Verlustleistung: 79W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: PowerSO-10RF
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 165°C
Description: STMICROELECTRONICS - PD57060S-E - HF-FET-Transistor, 65 V, 7 A, 79 W, 945 MHz, PowerSO-10RF
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Flanschklemme
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 65V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
Betriebsfrequenz, max.: 945MHz
Betriebsfrequenz, min.: -
Verlustleistung: 79W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: PowerSO-10RF
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 165°C
на замовлення 547 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)