PD57060S-E STMicroelectronics
Виробник: STMicroelectronicsDescription: RF MOSFET LDMOS 28V POWERSO-10RF
Packaging: Tube
Package / Case: PowerSO-10 Exposed Bottom Pad
Current Rating (Amps): 7A
Frequency: 945MHz
Power - Output: 60W
Gain: 14.3dB
Technology: LDMOS
Supplier Device Package: PowerSO-10RF (Straight Lead)
Voltage - Rated: 65 V
Voltage - Test: 28 V
Current - Test: 100 mA
на замовлення 370 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 3821.74 грн |
| 10+ | 3041.34 грн |
| 50+ | 2819.11 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис PD57060S-E STMicroelectronics
Description: STMICROELECTRONICS - PD57060S-E - HF-FET-Transistor, 65 V, 7 A, 79 W, 945 MHz, PowerSO-10RF, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Flanschklemme, Drain-Source-Spannung Vds: 65V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 7A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, MSL: MSL 3 - 168 Stunden, usEccn: EAR99, Betriebsfrequenz, max.: 945MHz, Betriebsfrequenz, min.: -, euEccn: NLR, Verlustleistung: 79W, Bauform - Transistor: PowerSO-10RF, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 165°C, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).
Інші пропозиції PD57060S-E за ціною від 3972.62 грн до 5481.03 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
PD57060S-E | Виробник : STMICROELECTRONICS |
Description: STMICROELECTRONICS - PD57060S-E - HF-FET-Transistor, 65 V, 7 A, 79 W, 945 MHz, PowerSO-10RF tariffCode: 85412900 Transistormontage: Flanschklemme Drain-Source-Spannung Vds: 65V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 7A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES MSL: MSL 3 - 168 Stunden usEccn: EAR99 Betriebsfrequenz, max.: 945MHz Betriebsfrequenz, min.: - euEccn: NLR Verlustleistung: 79W Bauform - Transistor: PowerSO-10RF Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 165°C SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
на замовлення 561 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
 |
PD57060S-E | Виробник : STMicroelectronics |
Trans RF MOSFET N-CH 65V 7A 3-Pin PowerSO-10RF (Straight lead) Tube |
товару немає в наявності |
|||||||||||
| PD57060S-E | Виробник : STMicroelectronics |
Trans RF FET N-CH 65V 7A 3-Pin PowerSO-10RF (Straight lead) Tube |
товару немає в наявності |
||||||||||||
 |
PD57060S-E | Виробник : STMicroelectronics |
Trans RF FET N-CH 65V 7A 3-Pin PowerSO-10RF (Straight lead) Tube |
товару немає в наявності |
|||||||||||
 |
PD57060S-E | Виробник : STMicroelectronics |
RF MOSFET Transistors RF Pwr Transistors LDMOST Plastic Fam |
товару немає в наявності |
|||||||||||
| PD57060S-E | Виробник : STMicroelectronics |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 65V; 7A; 79W; PowerSO10RF Polarisation: unipolar Case: PowerSO10RF Kind of channel: enhancement Type of transistor: N-MOSFET Kind of package: tube Mounting: SMD Power dissipation: 79W Drain current: 7A Gate-source voltage: ±20V Drain-source voltage: 65V |
товару немає в наявності |