PD57060TR-E

PD57060TR-E STMicroelectronics


11758.pdf Виробник: STMicroelectronics
Trans RF MOSFET N-CH 65V 7A 3-Pin PowerSO-10RF (Formed lead) T/R
товару немає в наявності

В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис PD57060TR-E STMicroelectronics

Category: SMD N channel transistors, Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 65V; 7A; 79W; PowerSO10RF, Polarisation: unipolar, Case: PowerSO10RF, Kind of channel: enhancement, Type of transistor: N-MOSFET, Kind of package: reel; tape, Mounting: SMD, Power dissipation: 79W, Drain current: 7A, Gate-source voltage: ±20V, Drain-source voltage: 65V.

Інші пропозиції PD57060TR-E

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
PD57060TR-E PD57060TR-E Виробник : STMicroelectronics 11758.pdf Trans RF FET N-CH 65V 7A 3-Pin PowerSO-10RF (Formed lead) T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PD57060TR-E Виробник : STMicroelectronics 11758.pdf Trans RF FET N-CH 65V 7A 3-Pin PowerSO-10RF (Formed lead) T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PD57060TR-E PD57060TR-E Виробник : STMicroelectronics 11758.pdf Trans RF MOSFET N-CH 65V 7A 3-Pin PowerSO-10RF (Formed lead) T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PD57060TR-E Виробник : STMicroelectronics en.CD00072061.pdf Description: RF MOSFET LDMOS 28V POWERSO10
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerSO-10 Exposed Bottom Pad
Current Rating (Amps): 7A
Frequency: 945MHz
Power - Output: 60W
Gain: 14.3dB
Technology: LDMOS
Supplier Device Package: 10-PowerSO
Voltage - Rated: 65 V
Voltage - Test: 28 V
Current - Test: 100 mA
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PD57060TR-E PD57060TR-E Виробник : STMicroelectronics pd57060s_e-1849941.pdf RF MOSFET Transistors RF Pwr Transistors LDMOST Plastic Fam
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PD57060TR-E Виробник : STMicroelectronics en.CD00072061.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 65V; 7A; 79W; PowerSO10RF
Polarisation: unipolar
Case: PowerSO10RF
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of package: reel; tape
Mounting: SMD
Power dissipation: 79W
Drain current: 7A
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 65V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.